| 講演名 | 2002/6/8 AlGaN系紫外域共振型受光素子の作製と評価(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) 米丸 昌男, 菊池 昭彦, 岸野 克巳, |
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| 抄録(和) | 共振型受光素子は薄膜吸収層において高い受光感度と優れた波長選択性を実現する。本研究ではrfプラズマにより励起した窒素ガスを原料とする分子線エピタキシー法(RF-MBE)によりAlGaN系共振型紫外線受光素子を作製した。MOCVD-GaNをテンプレートとせず、サファイア基板上に素子構造を成長することで受光特性の改善に成功した。暗電流は印加電圧5Vにおいて66pAであった。共振効果による明瞭なピークが確認され、40nmの薄膜吸収層において最大受光感度は印加電圧9Vにおいて1.5A/W(357nm)、1.2A/W(364nm)であった。 |
| 抄録(英) | Resonant cavity-enhanced (RCE) photodetector (PD) is achieved a high responsivity and excellent wavelength selectivity for a thin absorption layer. In this investigation, we have fabricated AlGaN-based RCE ultraviolet (UV) PD by rf-plasma-assisted molecular beam epitaxy (RF-MBE). We have successfully improved the responsivity of RCE-UV-PD by grown on sapphire substrate without metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)-GaN template. Dark current was 66pA at 5V bias voltage. We observed clear resonant detection peaks by resonant cavity effect. Peak responsivities were 1.5A/W at 357nm and 1.2A/W at 364nm with 9V bias voltage, for a thin absorption layer of 40nm. |
| キーワード(和) | 共振型受光素子 / 紫外線 / フォトコンダクタ / ガリウムナイトライド / アルミニウムナイトナイド |
| キーワード(英) | resonant cavity-enhanced photodetector / ultraviolet-ray / photoconductor / GaN / AlN |
| 資料番号 | LQE2002-73 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2002/6/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlGaN系紫外域共振型受光素子の作製と評価(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication and characterization of AlGaN-Based Resonant Cavity-Enhanced Ultraviolet Photodetectors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 共振型受光素子 / resonant cavity-enhanced photodetector |
| キーワード(2)（和/英） | 紫外線 / ultraviolet-ray |
| キーワード(3)（和/英） | フォトコンダクタ / photoconductor |
| キーワード(4)（和/英） | ガリウムナイトライド / GaN |
| キーワード(5)（和/英） | アルミニウムナイトナイド / AlN |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 米丸 昌男 / Masao YONEMARU |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronics Engineering, Sophia University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 菊池 昭彦 / Akihiko KIKUCHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronics Engineering, Sophia University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岸野 克巳 / Katsumi KISHINO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronics Engineering, Sophia University |
| 発表年月日 | 2002/6/8 |
| 資料番号 | LQE2002-73 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 119 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |