| 講演名 | 2002/6/8 金属基板上に成長した多結晶GaNからの電界電子放出(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) 山中 隆幸, 反保 衆志, 橋本 政彦, 朝日 一, |
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| 抄録(和) | ECR-MBE法により多結晶Mo基板上に、多結晶のGaNを成長した。この多結晶GaNを原子間力顕微鏡(AFM)で観察すると、Mo基板上多結晶GaNは300～600nmのサイズのグレイン構造を示し、それらグレインの先端部、またはエッジ部などにおいて突起していることがわかった。またGaNとMo界面はオーミック接合を示した。このMo基板上に成長した多結晶GaNのフィールドエミッション(FE)特性を測定したところ、引き抜き電界22V/μmで最大電流密度260μA/cm^2、また10.6V/μm(1mA)という低いしきい電界を持つエミッション特性が得られた。このような低いしきい電界は、GaNとMo界面のオーミック接合や、グレイン突起部での電界集中によるものである。 |
| 抄録(英) | Polycrystalline GaN layers are grown on polycrystalline Mo substrate by ECR-MBE. They have 300-600nm-size grain structures and tip-like structures. GaN/Mo interface shows ohmic I-V characteristics. Field emission (FE) measurement shows a turn-on electric field of as low as 10.6 V/μm at an emission current of 1 nA. We obtained a field emission current density of 260 μA/cm^2 at the electric field of 22 V/μm. |
| キーワード(和) | 多結晶GaN / Mo金属基板 / フィールドエミッション / ECR / しきい電界 |
| キーワード(英) | polycrystalline GaN / Mo metal substrate / field emission / molecular beam epitaxy / threshold electric field |
| 資料番号 | LQE2002-72 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2002/6/8(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 金属基板上に成長した多結晶GaNからの電界電子放出(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electron emission from polycrystalline GaN on metal substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 多結晶GaN / polycrystalline GaN |
| キーワード(2)（和/英） | Mo金属基板 / Mo metal substrate |
| キーワード(3)（和/英） | フィールドエミッション / field emission |
| キーワード(4)（和/英） | ECR / molecular beam epitaxy |
| キーワード(5)（和/英） | しきい電界 / threshold electric field |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山中 隆幸 / T. Yamanaka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of Scientific and Industrial, Osaka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 反保 衆志 / H. Tampo |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of Scientific and Industrial, Osaka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 橋本 政彦 / M. Hashimoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of Scientific and Industrial, Osaka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 朝日 一 / H. Asahi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of Scientific and Industrial, Osaka University |
| 発表年月日 | 2002/6/8 |
| 資料番号 | LQE2002-72 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 119 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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