| 講演名 | 2002/6/8 GaNナノ針状結晶の形成と電界放出(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) 寺田 雄祐, 漆戸 達大, 吉田 治正, 三宅 秀人, 平松 和政, |
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| 抄録(和) | 反応性イオンエッチング(RIE)により自然形成されるGaNのナノ針状結晶(nanotips)の形成における特性および、nanotipsからの電界放出特性について評価した。選択横方向成長(ELO)したGaN基板上に形成させたnanotipsは基板表面上に一様に分布しており、転位との依存性がないことが確認できた。また、エッチング時間を増加させることにより、nanotipsの高さが増加することが確認でき、エッチング時間4分で約1μmの高さのnanotipsが得られた。nanotipsから電界放出された微視的な電子電流I_FCは、印加電圧が1500Vのときに約0.2μA(73mA/cm^2)であり、印加電圧1200Vで1時間の間、約12nAで安定しており、nanotipsの冷陰極への応用が有望であることが確認できた。 |
| 抄録(英) | Formation of GaN self-organized nanotips by using reactive ion etching (RIE) and its field emission were characterized. The nanotips fabricated on the GaN substrate grown by epitaxial lateral overgrowth (ELO) were uniformly on the GaN layer, which reveals that nanotips are not dependent on threading dislocations. It was found that the height of the nanotips increases by increasing etching time. In etching time of 4 min, the height of the nanotips was about 1μm. Microscopic current I_FC by field emission from the nanotips was 0.2μA(73mA/cm^2) on applied voltage of 1500 V. The stability current of 12 nA was observed at an applied voltage 1200 V for 1 hour. It confirmed that the application for cold cathode field emitter for GaN nanotips is promise. |
| キーワード(和) | GaN / 反応性イオンエッチング / 塩素プラズマ / ナノ針状結晶 / 電界放出 |
| キーワード(英) | GaN / RIE / Cl_2 plasma / nanotips / field emission |
| 資料番号 | LQE2002-71 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2002/6/8(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaNナノ針状結晶の形成と電界放出(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of GaN self-organized nanotips and its field emission |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 反応性イオンエッチング / RIE |
| キーワード(3)（和/英） | 塩素プラズマ / Cl_2 plasma |
| キーワード(4)（和/英） | ナノ針状結晶 / nanotips |
| キーワード(5)（和/英） | 電界放出 / field emission |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 寺田 雄祐 / Yuusuke Terada |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部 Mie University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 漆戸 達大 / Tatsuhiro Urushido |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部 Mie University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 吉田 治正 / Harumasa Yoshida |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部 Mie University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 三宅 秀人 / Hideto Miyake |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部 Mie University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 平松 和政 / Kazumasa Hiramatu |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部 Mie University |
| 発表年月日 | 2002/6/8 |
| 資料番号 | LQE2002-71 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 119 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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