| 講演名 | 2002/6/7 大電流動作AlGaN/GaNパワーHFET(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) 吉田 清輝, 石井 宏辰, 李 江, 王 徳亮, 市川 昌和, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 大電流動作を目的としてAlGaN/GaN HFETを試作した.FETの低接触抵抗化のためにガスソースMBE法でソースドレインのコンタクト層を形成した.その結果,FETは20A動作が可能で,耐圧は300Vまで向上した.FETのオン抵抗も約10mΩ・cm^2となり,同耐圧でのSiMOSFETよりも小さい値を実現した. |
| 抄録(英) | An AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistor (HFET) was fabricated for a large current operation. In order to realize a very low contact resistance, contact layers for a source and drain were formed by a gas-source molecular beam epitaxy (GSMBE). As a result, the FET was operated at 20 A and the breakdown voltage was improved to 300 V. The on-state resistance of FET was about 10 mΩ cm^2 and its value was lower compared with that of Si MOSFET. |
| キーワード(和) | GaN / AlGaN / HFET / MBE / オン抵抗 |
| キーワード(英) | GaN / AlGaN / HFET / MBE / on-state resistance |
| 資料番号 | LQE2002-63 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
|---|---|
| 開催期間 | 2002/6/7(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 大電流動作AlGaN/GaNパワーHFET(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | AlGaN/GaN power HFET for a large current operation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(3)（和/英） | HFET / HFET |
| キーワード(4)（和/英） | MBE / MBE |
| キーワード(5)（和/英） | オン抵抗 / on-state resistance |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 吉田 清輝 / Seikoh YOSHIDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 古河電気工業株式会社 横浜研究所 Yokohama R&D Laboratories, The Furukawa Electric Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石井 宏辰 / Hirotatsu ISHII |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 古河電気工業株式会社 横浜研究所 Yokohama R&D Laboratories, The Furukawa Electric Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 李 江 / Jiang LI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 古河電気工業株式会社 横浜研究所 Yokohama R&D Laboratories, The Furukawa Electric Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 王 徳亮 / Delian WANG |
| 第 4 著者 所属（和/英） | JRCAT JRCAT |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 市川 昌和 / Masakazu ICHIKAWA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | JRCAT JRCAT |
| 発表年月日 | 2002/6/7 |
| 資料番号 | LQE2002-63 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 118 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |