| 講演名 | 2002/6/7 GaN HEMTの高周波特性の温度依存性評価(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) 水谷 孝, 秋田 光俊, 大野 雄高, 岸本 茂, 前澤 宏一, |
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| 抄録(和) | GaN HEMTの高周波特性の温度特性を評価するとともに遅延時間解析からチャネル内の実効電子を評価した。ドレイン飽和電流、相互コンダクタンス、電流遮断周波数、実効電子速度は温度の上昇とともに単調に変化し、室温から187℃の上昇で低下率は35%であった。測定で得られた電子速度の温度依存性はピーク速度と移動度の中間の温度依存性を示し、本GaN HEMTの特性はピーク速度律速と移動度律速の中間の動作領域にあることを示した。 |
| 抄録(英) | High-frequency measurements of the 1.3-μm-long gate AlGaN/GaN HEMTs have been performed at temperatures between 23℃ and 187℃. The cutoff frequency f_γ decreased monotonically with increasing temperature. It was 13.7 and 8.7 GHz at 23 and 187℃, respectively. The effective electron velocities v_eff in the channel evaluated from the total delay time versus I_D-inverse relation were 1.2 and 0.8 × 10^7cm/s at 23 and 187℃, respectively. It has been shown that the the present device is in an intermediate state between mobility-dominant and peak-velocity-dominant operations. |
| キーワード(和) | AlGaN/GaN HEMT / 温度依存性 / 高周波特性 / 実効電子速度 |
| キーワード(英) | AlGaN/GaN HEMT / Temperature Dependence / High-Frequency Performance / Effective Electron Velcity |
| 資料番号 | LQE2002-60 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2002/6/7(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaN HEMTの高周波特性の温度依存性評価(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Temperature Dependence of High-Frequency Performances of AlGaN/GaN HEMTs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN HEMT / AlGaN/GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | 温度依存性 / Temperature Dependence |
| キーワード(3)（和/英） | 高周波特性 / High-Frequency Performance |
| キーワード(4)（和/英） | 実効電子速度 / Effective Electron Velcity |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 水谷 孝 / Takashi MIZUTANI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Quantum Engineering, Graduate School of Enfineering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 秋田 光俊 / Mitsutoshi AKITA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Quantum Engineering, Graduate School of Enfineering, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大野 雄高 / Yutaka OHNO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Quantum Engineering, Graduate School of Enfineering, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岸本 茂 / Shigeru KISHIMOTO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Quantum Engineering, Graduate School of Enfineering, Nagoya University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 前澤 宏一 / Koichi MAEZAWA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Quantum Engineering, Graduate School of Enfineering, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2002/6/7 |
| 資料番号 | LQE2002-60 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 118 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |