| 講演名 | 2002/6/7 顕微ラマン分光法によるGaN HEMTの温度分布測定(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) 大野 雄高, 岸本 茂, 前澤 宏一, 水谷 孝, |
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| 抄録(和) | バイアスを印加したAlGaN/GaN HEMTにおける温度分布を顕微ラマン分光法により測定した。素子温度はGaNのE_2フォノンのラマンシフトから見積もった。測定の空間分解能および温度分解能は、それぞれ1μmおよび10Kである。ドレイン側ゲート端のチャネル中央において高温領域を観測し、ドレイン電圧40V、消費電力が248mWのときピーク温度は428Kであった。この高温領域はゲート端に形成された高電界領域に対応すると考えられる。また、ピーク温度は消費電力にほぼ比例して上昇し、熱抵抗は447K/Wであった。 |
| 抄録(英) | Temperature distributions in AlGaN/GaN HEMT under bias voltage have been measured by micro-Raman scattering spectroscopy. The temperature was estimated from the Raman shift of E_2 phonons of GaN. The spatial and temperature resolutions are 1 μm and 10 K, respectively. When the power dissipation was 248 mW at a drain voltage of 40 V, the peak temperature of 428 K was observed at the gate edge on the drain side at the center of the channel. This position corresponds to the high-field region at the gate edge. Peak temperature was proportional to the power dissipation. The thermal resistance was estimated to be 447 K/W. |
| キーワード(和) | GaN HEMT / 顕微ラマン分光 / 温度測定 |
| キーワード(英) | GaN HEMT / micro-Raman scattering spectroscopy / temperature measurement |
| 資料番号 | LQE2002-59 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2002/6/7(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 顕微ラマン分光法によるGaN HEMTの温度分布測定(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Temperature Distribution Measurement in GaN HEMTs by Micro-Raman Scattering Spectroscopy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN HEMT / GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | 顕微ラマン分光 / micro-Raman scattering spectroscopy |
| キーワード(3)（和/英） | 温度測定 / temperature measurement |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大野 雄高 / Yutaka OHNO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 岸本 茂 / Shigeru KISHIMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 前澤 宏一 / Koichi MAEZAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 水谷 孝 / Takashi MIZUTANI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2002/6/7 |
| 資料番号 | LQE2002-59 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 118 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |