| 講演名 | 2002/6/7 量産型MOVPE装置によるGaN-HEMTエピの成長(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) 高野 和人, 藤倉 序章, 飯塚 和幸, |
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| 抄録(和) | GaN-HEMTエピの量産化に対する最大の障害は、サファイア上GaNの低転位化およびAlGaNの高均一化を多数枚チャージMOVPE装置において達成する点にある。我々はまず、GaNの高温成長初期にファセット成長層を導入することにより、従来の2段階成長法を用いた場合1×10^9cm^-2程度であった大型炉によるGaNの転位密度をウエハ全面で3.5×10^8cm^-2程度にまで低減させた。さらに成長条件の最適化によりAlGaNのAl組成・膜厚分布をφ2"面内で±3%以内とすることに成功した。これらの条件を用いることにより大型炉で成長したGaN-HEMT構造において、移動度およびキャリア密度双方のバラツキが2"面内で±4%以内と良好な値を実現した。 |
| 抄録(英) | For the growth of GaN-HETM epi-waferes using mass-production type MOVPE system, methods to reduce the dislocation density in GaN/Sapphire and to achieve the high uniforimty AlGaN layer were studied. Firstly, we have successfully reduce the dislocaiton density of GaN from the convetional value of 1×10^9 cm^-2 to 3.5 × 10^8cm^-2 by insertion of a faceting layer between the LT-buffer and the HTGaN. Secondly, high uniformity of alloy compositon of AlGaN layer less than ±3% was achieved by the growth optimization. By combining these, 2" GaN-HEMT epi-wafers with high uniformities of the mobility and the sheet carrier density less than ±4% were successfully grown by the mass-production type MOVPE system. |
| キーワード(和) | 量産型MOVPE装置 / サファイア基板上GaN / 転位密度 / 均一性 / GaN-HEMTエピ |
| キーワード(英) | mass-produciton type MOVIPE system / GaN/Sapphire / dislocation density / uniformity / GaN-HEMT epi-wafer |
| 資料番号 | LQE2002-58 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2002/6/7(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 量産型MOVPE装置によるGaN-HEMTエピの成長(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of GaN-HEMT epi-wafer by mass-production type MOVPE system |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量産型MOVPE装置 / mass-produciton type MOVIPE system |
| キーワード(2)（和/英） | サファイア基板上GaN / GaN/Sapphire |
| キーワード(3)（和/英） | 転位密度 / dislocation density |
| キーワード(4)（和/英） | 均一性 / uniformity |
| キーワード(5)（和/英） | GaN-HEMTエピ / GaN-HEMT epi-wafer |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高野 和人 / Kazuto Takano |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日立電線株式会社 アドバンスリサーチセンター Advanced Research Center. Hitachi-Cable Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 藤倉 序章 / Hajime Fujikura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日立電線株式会社 アドバンスリサーチセンター Advanced Research Center. Hitachi-Cable Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 飯塚 和幸 / Kazuyuki Iizuka |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日立電線株式会社 アドバンスリサーチセンター Advanced Research Center. Hitachi-Cable Ltd. |
| 発表年月日 | 2002/6/7 |
| 資料番号 | LQE2002-58 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 118 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |