| 講演名 | 2002/6/7 立方晶GaN/GaAs(001)ヘテロ構造の光バイアスエレクトロリフレクタンス(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) 片山 竜二, 黒田 正行, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, |
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| 抄録(和) | 本研究では,MOVPE成長した立方晶Al_0.1Ga_0.9N/GaN/GaAs(001)ヘテロ構造に形成したショットキ電極を用いてエレクトロリフレクタンス(Electroreflectance, ER)測定を行なった.光バイアスを照射しない場合AlGaN,GaN層からの信号に加えてGaAs層からの信号が重畳して観測されるのに対し,Ar^+レーザをバイアス光として用い定常照射を行うことでGaAs層からの信号が顕著に低減することから,GaN/GaAs界面とGaNからのER信号を区別できることが示された.またERスペクトルから見積もられる立方晶GaN,AlGaNのE_0臨界点の温度依存性から,本測定のように変調電界が強い場合においては励起子遷移ではなく自由キャリアの遷移が観測されることが確認された。 |
| 抄録(英) | Electroreflectance spectra were measured for cubic Al_0.1Ga_0.9N/GaN/GaAs(001) heterostructure grown by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) using electromodulation via a Schottky contact. The signals from the GaAs layer were distinguished from those of the AlGaN and GaN layers by the use of the steady illumination of the bias-light of Ar^+ laser, because the former had reduced its amplitude significantly with increasing the bias-light intensity while the latter had been insensitive to it. The temperature dependence of the E_0, critical point energy of the cubic GaN was investigated and this transition found to be corresponded to the free-carrier transition, not to the excitonic transition, under the relatively high-field (i.e. intermediate-field) electromodulation condition. |
| キーワード(和) | 立方晶 GaN / GaN/GaAs / エレクトロリフレクタンス / 光バイアス / E_0臨界点 |
| キーワード(英) | cubic GaN / GaN/GaAs / Electroreflectance / Optical-bias / E_0 critical point |
| 資料番号 | LQE2002-55 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2002/6/7(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 立方晶GaN/GaAs(001)ヘテロ構造の光バイアスエレクトロリフレクタンス(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Optical-Biased Electroreflectance of Cubic GaN/GaAs(001) Heterostrucutures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 立方晶 GaN / cubic GaN |
| キーワード(2)（和/英） | GaN/GaAs / GaN/GaAs |
| キーワード(3)（和/英） | エレクトロリフレクタンス / Electroreflectance |
| キーワード(4)（和/英） | 光バイアス / Optical-bias |
| キーワード(5)（和/英） | E_0臨界点 / E_0 critical point |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 片山 竜二 / Ryuji KATAYAMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院新領域創成科学研究科 物質系専攻 Department of Advanced Materials Science, The University of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 黒田 正行 / Masayuki KURODA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院新領域創成科学研究科 物質系専攻 Department of Advanced Materials Science, The University of Tokyo |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 尾鍋 研太郎 / Kentaro ONABE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院新領域創成科学研究科 物質系専攻 Department of Advanced Materials Science, The University of Tokyo |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 白木 靖寛 / Yasuhiro SHIRAKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京大学工学系研究科量子相エレクトロニクス研究センタ Department of Applied Physics, The University of Tokyo |
| 発表年月日 | 2002/6/7 |
| 資料番号 | LQE2002-55 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 118 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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