| 講演名 | 2002/6/6 RF-MBE成長単結晶InN膜の光学特性(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) 齋藤 義樹, 堀 正輝, 山口 智広, 寺口 信明, 鈴木 彰, 荒木 努, 名西 〓之, |
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| 抄録(和) | RF-MBE法を用いて、c面サファイア基板上にInNを成長した。RHEED観察や、X線回折測定の結果からウルツ鉱型単結晶InN膜が成長していることを確認した。光吸収測定を行った結果、室温において約0.78eV付近での吸収を確認した。さらに、PL測定から吸収端付近において強い発光を得ることができた。サファイア基板上にRF-MBE成長した高インジウム組成の単結晶InGaNについても同様に検討を行った。InGaN組成比に対するPL発光のエネルギー位置は、InNのバンドギャップを約0.8eV、ボーイングパラメータを2.3eVとした曲線上と良い一致を示した。これらの結果は、InNのバンド端が約0.8eVであることを示唆している。 |
| 抄録(英) | InN was grown on a (0001) sapphire by RF-MBE. The results of RHEED observations and XRD measurements confirmed that single crystalline InN with wurtzite structure was grown. The band-gap of InN was estimated at around 0.78 eV by optical absorption measurements at room temperature. Strong PL emission was obtained near the band-edge estimated by optical absorption measurements. InGaN films grown by RF-MBE were also studied. PL peak positions for various indium compositions showed a good agreement with the curve calculated by using a bowing parameter of 2.3 eV and InN band-gap of 0.8 eV. These results suggest that fundamental band-gap of InN is around 0.8 eV. |
| キーワード(和) | RF-MBE / InN / バンドギャップ / 単結晶 / PL / InGaN |
| キーワード(英) | RF-MBE / InN / band-gap / single crystalline / PL / InGaN |
| 資料番号 | LQE2002-41 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2002/6/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | RF-MBE成長単結晶InN膜の光学特性(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Optical Properties of Single Crystalline InN Grown by RF-MBE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | RF-MBE / RF-MBE |
| キーワード(2)（和/英） | InN / InN |
| キーワード(3)（和/英） | バンドギャップ / band-gap |
| キーワード(4)（和/英） | 単結晶 / single crystalline |
| キーワード(5)（和/英） | PL / PL |
| キーワード(6)（和/英） | InGaN / InGaN |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 齋藤 義樹 / Yoshiki SAITO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部 Faculty of Science and Engineering, Ritsumeikan University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 堀 正輝 / Masaki HORI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部 Faculty of Science and Engineering, Ritsumeikan University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山口 智広 / Tomohiro YAMAGUCHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部 Faculty of Science and Engineering, Ritsumeikan University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 寺口 信明 / Nobuaki TERAGUCHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | シャープ株式会社基盤技術研究所 Advanced Technology Research Lab., Sharp Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 鈴木 彰 / Akira SUZUKI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | シャープ株式会社基盤技術研究所 Advanced Technology Research Lab., Sharp Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 荒木 努 / Tsutomu ARAKI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部 Faculty of Science and Engineering, Ritsumeikan University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 名西 〓之 / Yasushi NANISHI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部 Faculty of Science and Engineering, Ritsumeikan University |
| 発表年月日 | 2002/6/6 |
| 資料番号 | LQE2002-41 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 117 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |