| 講演名 | 2002/6/6 InGaN量子井戸構造における水素雰囲気の影響(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) 生方 映徳, 徳永 裕樹, 矢野 良樹, 山口 晃, 山崎 利明, |
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| 抄録(和) | GaN及びInGaN/GaN量子井戸構造の結晶成長条件について調べた結果を報告する。結晶成長には、2インチ基板×7枚の多数枚型横型MOVPE装置を用いて常圧にて成長を行った。GaNの成長に水素リッチなキャリアガスを用いることによって、X線回折の非対称反射ロッキングカーブは320秒程度に改善されることが分かった。雰囲気ガスの異なるGaN層の組み合わせによって、6インチ全体で均質なGaN膜を実現した。バリア層GaNの成長に同様の成長条件を適用した結果lnGaN/GaN量子井戸構造のPL強度は約3倍程度改善された。 |
| 抄録(英) | We have investigated a growth condition of InGaN/GaN multiple quantum well structure. The epitaxial layers were grown on sapphire using an atmospheric horizontal MOVPE system with a 6 inch diameter wafer platen. 'With ambient hydrogen rich as a carrier gas in the growth of GaN films, asymmetrical reflection profile of X-ray rocking curve became narrow. By applying same growth condition to the GaN barriers in InGaN/GaN multi quantum well (MQW) structure, room temperature photoluminescence intensity was improved approximately three times as that for InGaN/GaN MQW structures grown with only nitrogen carrier gas. |
| キーワード(和) | InGaN / GaN / 量子井戸構造 / MOVPE / 多数枚型装置 |
| キーワード(英) | InGaN / GaN / multi quantum well / MOVPE / multi wafer reactor |
| 資料番号 | LQE2002-33 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2002/6/6(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InGaN量子井戸構造における水素雰囲気の影響(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Influence of Ambient Hydrogen in InGaN multiple quantum well structure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN / InGaN |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | 量子井戸構造 / multi quantum well |
| キーワード(4)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(5)（和/英） | 多数枚型装置 / multi wafer reactor |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 生方 映徳 / Akinori Ubukata |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本酸素株式会社化合物プロジェクト部 Compound Semiconductor Project, NIPPON SANSO Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 徳永 裕樹 / Hiroki Tokunaga |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本酸素株式会社化合物プロジェクト部 Compound Semiconductor Project, NIPPON SANSO Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 矢野 良樹 / Yoshiki Yano |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本酸素株式会社化合物プロジェクト部 Compound Semiconductor Project, NIPPON SANSO Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山口 晃 / Akira Yamaguchi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本酸素株式会社化合物プロジェクト部 Compound Semiconductor Project, NIPPON SANSO Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山崎 利明 / Toshiaki Yamazaki |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本酸素株式会社化合物プロジェクト部 Compound Semiconductor Project, NIPPON SANSO Corporation |
| 発表年月日 | 2002/6/6 |
| 資料番号 | LQE2002-33 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 117 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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