| 講演名 | 2002/6/6 ZrB_2 基板作製の現状(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) 大谷 茂樹, |
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| 抄録(和) | 高周波加熱FZ法により、直径1.5cm、長さ8cmのZrB2 単結晶を育成した。X線回折における半値幅が100arcsec程度、エッチピット密度が10^6-10^7/cm^2であった。 |
| 抄録(英) | ZrB_2 single crystals, 1.5 cm in diameter and 8 cm long, were prepared by the RF-heated floating zone method. The FWHM value was about 100 arcsec. The etch pit density was 10^6-10^7/cm^2. |
| キーワード(和) | ZrB_2 / GaN / 基板 / 結晶育成 |
| キーワード(英) | ZrB_2 / GaN / Substrate / Crystal growth |
| 資料番号 | LQE2002-23 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2002/6/6(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ZrB_2 基板作製の現状(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation of ZrB_2 single crystals and the substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ZrB_2 / ZrB_2 |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | 基板 / Substrate |
| キーワード(4)（和/英） | 結晶育成 / Crystal growth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大谷 茂樹 / Shigeki OTANI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 独立行政法人 物質・材料研究機構 物質研究所 National Institute for Materials Science, Advanced Materials Laboratory |
| 発表年月日 | 2002/6/6 |
| 資料番号 | LQE2002-23 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 117 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | |