| 講演名 | 2002/6/6 Formation of bulk gallium nitride (GaN) using a multi-cusp plasma-sputter ion source system , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | A multi-cusp plasma-sputter ion source system was used in the formation of bulk GaN crystals. By reaction of excited nitrogen species in a plasma with liquid Ga, polycrystalline and textured GaN crystals were formed. At a neutral nitrogen pressure of 0.3 Pa, the electron density and electron temperature of the plasma discharge ranged from 7.0 × 10^10 to 1.4 × 10^11 /cm^3 and 1.5 to 2.0 eV, respectively. The formed GaN appeared rough on the top and bottom surfaces but showed some shiny and well faceted appearance in the inner part of the bulk crystal when cleaved. X-ray diffraction peaks confirmed the irradiated materials to be fine crystalline GaN with distinct primary reflection corresponding to (002) plane of GaN which indicated good texturing of the crystals formed. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Gallium nitride / plasma sputtering / X-ray diffraction |
| 資料番号 | LQE2002-22 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2002/6/6(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of bulk gallium nitride (GaN) using a multi-cusp plasma-sputter ion source system |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Gallium nitride |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Randolph FLAUTA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Department of Electronics, Doshisha University |
| 発表年月日 | 2002/6/6 |
| 資料番号 | LQE2002-22 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 117 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |