| 講演名 | 2002/6/6 GaN基板結晶成長技術の最近の進展(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) 碓井 彰, 砂川 晴夫, 山口 敦史, 小林 憲司, |
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| 抄録(和) | 窒化物系高出力レーザや高輝度LEDの開発に期待されているGaN基板結晶の作製方法には、大きく分けて溶液成長と気相成長がある。溶液成長では、低転位密度の基板結晶が得られるが、大面積化、生産性に課題がある。気相成長では、HVPE(hydride vapor phase epitaxy)法により数百μmの厚いGaN層を成長させて基板を剥離する自立基板作製が中心である。溶液成長に比較して穏やかな成長条件で行われるが、大面積剥離、転位の低減が必要である。これらGaNバルク結晶技術の最近の進展について述べるとともに、その特徴や技術的課題についてまとめる。 |
| 抄録(英) | The production method of the GaN bulk substrate, which is required for the development of high output nitride laser and high luminous LED, can be roughly divided into the solution growth and the vapor phase epitaxy (VPE). In the solution growth, although the substrate crystal with low dislocation density is obtained, a subject is in the formation of large area, and the increase of productivity. In the VPE, a hundreds of μm thick GaN layer on substrate is mainly grown by the HVPE (hydride vapor phase epitaxy) method, and freestanding GaN wafer is obtained by the substrate separation. Although the VPE is carried out on moderate growth conditions as compared with the solution growth, large area separation and reduction of dislocation density are necessary. While describing the recent progress of these GaN bulk crystal technology, the feature and technical subject are summarized. |
| キーワード(和) | GaN基板 / 結晶成長 / 融液成長 / 気相成長 / 転位 / 自立基板 |
| キーワード(英) | GaN substrate / crystal growth / solution growth / vapor phase epitaxy / dislocation / freestanding substrate |
| 資料番号 | LQE2002-19 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2002/6/6(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaN基板結晶成長技術の最近の進展(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Recent Progress of Crystal Growth Technology for GaN Substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN基板 / GaN substrate |
| キーワード(2)（和/英） | 結晶成長 / crystal growth |
| キーワード(3)（和/英） | 融液成長 / solution growth |
| キーワード(4)（和/英） | 気相成長 / vapor phase epitaxy |
| キーワード(5)（和/英） | 転位 / dislocation |
| キーワード(6)（和/英） | 自立基板 / freestanding substrate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 碓井 彰 / Akira USUI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電気(株)光・無線デバイス研究所 Photonics and Wireless Devices Res. Labs. NEC Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 砂川 晴夫 / Haruo SUNAKAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電気(株)光・無線デバイス研究所 Photonics and Wireless Devices Res. Labs. NEC Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山口 敦史 / Atsushi A. YAMAGUCHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電気(株)光・無線デバイス研究所 Photonics and Wireless Devices Res. Labs. NEC Corp. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小林 憲司 / Kenji KOBAYASHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本電気(株)基礎研究所 Fundamental Res. Labs. NEC Corp. |
| 発表年月日 | 2002/6/6 |
| 資料番号 | LQE2002-19 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 117 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |