| 講演名 | 2004/6/25 誘電体クラッド半導体薄膜BH-DFBレーザ(<特集>量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般) 岡本 健志, 山崎 達也, 阪本 真一, 田村 茂雄, 荒井 滋久, |
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| 抄録(和) | 半導体薄膜活性層分離型DFDレーザは、光閉じ込め係数ξと屈折率結合係数κ_iの増大により、低しきし値化及び短共振器化が期待できる。今回、位相シフトを付加した素子を作製し、共振器長50μmでの室温連続動作を確認した。しきし値パワーは3.1mW、SMSRは35dB以上が得られた。さらに本構造でクラッドに用いているベンゾシクロブテン(BCB)は負の屈折率温度係数を持っているため、半導体コア厚を最適化することにより発振波長のアサーマル化を実現できる。そこで、半導体コア厚65nmの素子を作製し、発振波長の温度変化を測定したところ、2.45×10^<-2>nm/Kが得られ、発振波長温度依存性を従来の半導体レーザの約1/5まで低減させることができた。 |
| 抄録(英) | Semiconductor membrane DFB structure is very attractive for low threshold and stable single-mode operation due to the strong optical confinement into semiconductor core layer and high reflective mirror using DFB structure with wirelike active region. By adopting λ/4 phase shift region, threshold pump power of 3.1mW and SMSR of 35dB were successfully obtained with the cavity length of 50μm. Furthermore, temperature sensitivity of lasing wavelength can be improved using the negative temperature dependence of the refractive index of Benzocycrobutene (BCB). A temperature coefficient of the lasing wavelength of the membrane DFB laser of 2.45×10^<-2>nm/K was measured with the membrane core thickness of 65nm cladded by BCB layers. |
| キーワード(和) | DFBレーザ / 強光閉じ込め / GaInAsP/InP / CH_4/H_2-RIE / ベンゾシクロブテン(BCB) |
| キーワード(英) | DFB laser / High optical confinement / GaInAsP/InP / CH_4/H_2-RJE / Benzocyclobutene(BCB) |
| 資料番号 | OPE2004-20 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE |
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| 開催期間 | 2004/6/25(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optoelectronics (OPE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 誘電体クラッド半導体薄膜BH-DFBレーザ(<特集>量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Polymer Cladded Semiconductor Membrane BH-DFB Lasers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | DFBレーザ / DFB laser |
| キーワード(2)（和/英） | 強光閉じ込め / High optical confinement |
| キーワード(3)（和/英） | GaInAsP/InP / GaInAsP/InP |
| キーワード(4)（和/英） | CH_4/H_2-RIE / CH_4/H_2-RJE |
| キーワード(5)（和/英） | ベンゾシクロブテン(BCB) / Benzocyclobutene(BCB) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岡本 健志 / Takeshi OKAMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター Quantum Nanoelectronics Research Center, Tohyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山崎 達也 / Tatsuya YAMAZAKI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター Quantum Nanoelectronics Research Center, Tohyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 阪本 真一 / Shinichi SAKAMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター Quantum Nanoelectronics Research Center, Tohyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 田村 茂雄 / Shigeo TAMURA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター Quantum Nanoelectronics Research Center, Tohyo Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 荒井 滋久 / Shigehisa ARAI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:JST-CREST Quantum Nanoelectronics Research Center, Tohyo Institute of Technology:JST-CREST |
| 発表年月日 | 2004/6/25 |
| 資料番号 | OPE2004-20 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 161 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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