| 講演名 | 2003/12/13 [invited]TlInGaAs lasers for temperature-insensitive wavelength operation , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | To fabricate temperature-insensitive wavelength laser diodes (LDs), which are important in the wavelength division multiplexing optical fiber communication system, we have studied TlInGaAs/InP heterostructures. TlInGaAs/InP metal-stripe LDs were fabricated with gas source molecular-beam epitaxy. Current-injection pulsed-laser operation was obtained up to 310 K. Threshold current density and lasing wavelength at room temperature were 7 kA/cm^2 and 1660 nm, respectively. The observed temperature variation of the longitudinal-mode peak wavelength was as small as 0.06 nm/K. This value is much smaller than that observed for InGaAsP/InP distributed feedback LDs (0.1 nm/K). This is considered to result from the addition of Tl into the LD active layer. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | TlInGaAs / InP / semiconductor laser diodes / temperature-insensitive wavelength / molecular beam epitaxy / WDM optical fiber communication |
| 資料番号 | OPE2003-230,LQE2003-167 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE |
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| 開催期間 | 2003/12/13(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optoelectronics (OPE) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [invited]TlInGaAs lasers for temperature-insensitive wavelength operation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / TlInGaAs |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Y.K. Zhou |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Osaka University, ISIR |
| 発表年月日 | 2003/12/13 |
| 資料番号 | OPE2003-230,LQE2003-167 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 525 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |