| 講演名 | 2003/12/13 [invited]GaIn(N)As/GaAs Long Wavelength Surface Emitting Lasers , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | GaIn(N)As/GaAs long wavelength surface emitting lasers are expected as high performance and low cost light sources for optical data transmission systems. The highly strained GaInAs QW VCSELs are demonstrated at 1.1-1.2μm. A single mode power of 2mW and 140℃ operation is observed, and 2.5Gbps/10km transmission is confirmed. The MOCVD growth of the 1.3μm GaInNAs QW is established, and the threshold and temperature characteristics are the record level of 340A/cm^2 and 210K, respectively. The GaInNAs VCSELs by CBE shows a 1.2mA threshold and a single mode of 0.34mW for a 7×7μm^2 large aperture. A high-N GaInNAs QWs and Sb based quantum dots are also investigated towards long wavelength on the GaAs. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | VCSEL / highly strained GaInAs / GaInNAs / QW / QD / optical communication / epitaxy |
| 資料番号 | OPE2003-226,LQE2003-163 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE |
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| 開催期間 | 2003/12/13(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optoelectronics (OPE) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [invited]GaIn(N)As/GaAs Long Wavelength Surface Emitting Lasers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / VCSEL |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Tomoyuki MIYAMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | P&I Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2003/12/13 |
| 資料番号 | OPE2003-226,LQE2003-163 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 525 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |