| 講演名 | 2003/12/13 [招待講演]GaN-based intersubband transitions for ultra fast optical switching(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般) 飯塚 紀夫, 金子 桂, 鈴木 信夫, |
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| 抄録(和) | 窒化物半導体量子井戸中のサブバンド間遷移(ISBT)は,光通信波長帯域をカバーし、高速応答特性に優れるという特長があり、吸収飽和を利用した超高速全光スイッチング素子への応用が期待できる。これまでに光通信波長帯のISBTを実現し、ISBT波長が井戸中の強いビルトイン電界に影響を受けることを示した。さらに、超高速吸収回復特性の実証(波長4.5μmで150fs)と,吸収飽和エネルギー(波長1.48μmで0.5pJ/μm^2)の測定も行った。リッジ導波路でのISBT吸収の確認をし、また、GaN導波路で挿入損失評価も行った。最後にスイッチング動作の計算機シミュレーションを行い、10～25pJのパルスエネルギーで消光比10dB以上のスイッチングが可能であることを示した。 |
| 抄録(英) | Intersubband transitions (ISBTs) in nitride semiconductor quantum wells are a promising technology for realizing all-optical switching devices due to their ultrafast optical response. The ISBTs were achieved at optical communication wavelengths in GaN/AlN quantum wells, and it was shown that the ISBT wavelength is affected by a large built-in filed in the wells. The verification of the ultrafast absorption recovery (150 fs at a wavelength of 4.5 μm) and the measurement of the saturation energy (0.5 pJ/μm^2 at 1.48 μm) were carried out. Moreover, the ISBT was observed in a ridge waveguide structure and the insertion loss was measured for a GaN waveguide. Finally, simulation results indicated that the switching is achievable with extinction ratios of more than 10 dB at input pulse energies of 10-25 pJ. |
| キーワード(和) | サブバンド間遷移 / 量子井戸 / GaN / 全光スイッチ |
| キーワード(英) | Intersubband transition / Quantum well / GaN / All-optical switch |
| 資料番号 | OPE2003-225,LQE2003-162 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE |
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| 開催期間 | 2003/12/13(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optoelectronics (OPE) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | [招待講演]GaN-based intersubband transitions for ultra fast optical switching(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited]GaN-based intersubband transitions for ultrafast optical switching |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | サブバンド間遷移 / Intersubband transition |
| キーワード(2)（和/英） | 量子井戸 / Quantum well |
| キーワード(3)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(4)（和/英） | 全光スイッチ / All-optical switch |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 飯塚 紀夫 / Norio Iizuka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター Corporate R & D Center, Toshiba Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 金子 桂 / Kei Kaneko |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター Corporate R & D Center, Toshiba Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 鈴木 信夫 / Nobuo Suzuki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター Corporate R & D Center, Toshiba Corp. |
| 発表年月日 | 2003/12/13 |
| 資料番号 | OPE2003-225,LQE2003-162 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 525 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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