| 講演名 | 2003/12/13 [Invited]GaInAsP/InP Long Wavelength Quantum-Wire Lasers , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | We report the structural properties and losing characteristics of GaInAsP/InP multiple-quantum-wire lasers fabricated by electron beam lithography, CH_4/H_2-reactive ion etching and 2-step organometallic vapor-phase-epitaxial growth processes. Good size uniformity of multiple-quantum-wire structures (wire widths of 18 nm and 27 nm in a period of 80 nm) was obtained with standard deviations of less than ±2 nm. We experimentally demonstrated that low-damage etched/regrown interfaces of quantum-wire structures can be realized by using a partially strain-compensated quantum-well structure. Lasing properties of 5-quantum-well wirelike lasers (wire width of 43 nm in a period of 100 nm) superior to those of quantum-film lasers prepared on the same initial wafer due to a volume effect were found at temperatures up to 85℃. Finally, room temperature (RT)-continuous wave (CW) operation of multiple-quantum-wire lasers (wire width of 23 nm in a period of 80 nm, 5-stacked quantum-wires) was achieved, and the good reliable operation of this quantum-wire laser was shown for the first time in lifetime measurement under the RT-CW condition. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Quantum-Wire Laser / GaInAsP/InP / Strain-Compensated Quantum-Well structure / CH_4/H_2-RIE / OMVPE Regrowth |
| 資料番号 | OPE2003-220,LQE2003-157 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE |
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| 開催期間 | 2003/12/13(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optoelectronics (OPE) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited]GaInAsP/InP Long Wavelength Quantum-Wire Lasers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Quantum-Wire Laser |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Shigehisa ARAI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology:JST-CREST Kawaguchi Center Building |
| 発表年月日 | 2003/12/13 |
| 資料番号 | OPE2003-220,LQE2003-157 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 525 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |