講演名 2003/8/22
非相反移相効果増大のためのAlInAs選択酸化による低屈折率クラッド層の形成(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
庄司 雄哉, 横井 秀樹, 水本 哲弥,
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抄録(和) 光通信において光源として用いられる半導体レーザは、反射光の再入射によって動作特性が劣化することから、光アイソレータが必要不可欠である。本研究グループでは、磁性ガーネット/GaInAsP/InP構造の磁気光学導波路を用いて、非相反移相形光アイソレータと非相反放射形光アイソレータの製作を試みているが、前者では素子長が長く、後者では製作トレランスが小さいという問題点がある。そこで、これら2つの光アイソレータにおける問題点を改善するために、低屈折率なAlInAs-oxideクラッド層を形成することによる非相反移相効果の増大を試みた。その結果、これまで用いられてきた屈折率3.17のInPクラッド層よりも低い屈折率2.45のAlInAs-oxideクラッド層の形成に成功した。
抄録(英) Optical waveguide isolators are important integrated optics components that protect optical active devices from unwanted reflection. Two optical isolators, employing nonreciprocal phase shifter and nonreciprocal guided-radiation mode conversion, with a semiconductor guiding layer are described. The former isolator needs long propagation distance for the nonreciprocal phase shift and the latter has few acceptable error range of the fabrication. Selective oxidation of AlInAs layer with low refractive index can enhance the magneto-optic effect and improve the characteristics. We successfully fabricated the optical waveguide with AlInAs-oxide under cladding layer and the refractive index of the AlInAs-oxide was estimated to be 2.45 at 1.55μm.
キーワード(和) 光アイソレータ / ダイレクトボンディング / 半導体 / 選択酸化
キーワード(英) optical isolator / direct bonding / semiconductor / selective oxidation
資料番号 EMD2003-41,CPM2003-86,OPE2003-123,LQE2003-42
発行日

研究会情報
研究会 OPE
開催期間 2003/8/22(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Optoelectronics (OPE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 非相反移相効果増大のためのAlInAs選択酸化による低屈折率クラッド層の形成(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Enhancement of magneto-optic effect in optical isolator with semiconductor guiding layer by selective oxidation of AlInAs
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 光アイソレータ / optical isolator
キーワード(2)(和/英) ダイレクトボンディング / direct bonding
キーワード(3)(和/英) 半導体 / semiconductor
キーワード(4)(和/英) 選択酸化 / selective oxidation
第 1 著者 氏名(和/英) 庄司 雄哉 / Yuya Shoji
第 1 著者 所属(和/英) 東京工業大学大学院理工学研究科
Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 横井 秀樹 / Hideki Yokoi
第 2 著者 所属(和/英) 東京工業大学大学院理工学研究科:光産業技術振興協会
Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology:OITDA
第 3 著者 氏名(和/英) 水本 哲弥 / Tetsuya Mizumoto
第 3 著者 所属(和/英) 東京工業大学大学院理工学研究科:光産業技術振興協会
Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology:OITDA
発表年月日 2003/8/22
資料番号 EMD2003-41,CPM2003-86,OPE2003-123,LQE2003-42
巻番号(vol) vol.103
号番号(no) 272
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日