| 講演名 | 2003/6/27 歪量子細線構造のバンド構造と偏光異方性解析(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般) 丸山 武男, ハク アニスル, 荒井 滋久, |
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| 抄録(和) | k・p法を用いて、歪み緩和を考慮に入れた圧縮歪GaInAsP量子細線構造のバンド構造解析を行い、バリア層に引張歪みを導入した歪み補償効果と、多層量子細線構造の影響を調べた。この方法を用いることで、実験で得られているPLスペクトルのブルーシフト値の細線幅依存性をフィッティングパラメータを用いることなく説明することができた。このバンド構造の結果を用いて圧縮歪量子細線の自然放出光スペクトルを歪み量や多重に積層された細線の影響を考慮に入れて解析した。そして活性層の圧縮歪み量、バリア層の引張歪み量、細線幅や多重量子井戸のバリア歪み量によっては細線に対して垂直方向成分が強くなった。この結果は歪み緩和によるバンドミキシングによって説明できた。 |
| 抄録(英) | Energy-band structures of compressively-strained GaInAsP/InP quantum-wires fabricated by etching and regrowth method have been calculated using an 8 band k ・ p theory including strain relaxation. The effects of strain-compensating barriers and vertically stacking multiple wire layers on band structures are investigated. Experimentally observed wire-width dependence of the large energy blue-shift in vertically stacked multiple quantum-wire structures is accurately explained using our calculations without any fitting parameter. Polarization dependence of spontaneous emission spectrum of the strained quantum wires are studied theoretically considering the effects of strain and vertically stacking multiple wires. An anomalous dependence of polarization anisotropy on compressive strain in active regions, barrier tensile strain, wire width and the number of vertically stacked layers is explained in terms of band mixing due to strain relaxation. |
| キーワード(和) | 量子細線構造 / 歪補償量子井戸 / 偏光異方性 |
| キーワード(英) | Quantum-Wire Structure / GaInAsP-InP / Strain-Compensated Quantum-Well / Polarization Anisotro |
| 資料番号 | OPE2003-32,LQE2003-26 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE |
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| 開催期間 | 2003/6/27(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optoelectronics (OPE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 歪量子細線構造のバンド構造と偏光異方性解析(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of Band Structure and Polarization Anisotropy of Strained Quantum-Wire Structure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子細線構造 / Quantum-Wire Structure |
| キーワード(2)（和/英） | 歪補償量子井戸 / GaInAsP-InP |
| キーワード(3)（和/英） | 偏光異方性 / Strain-Compensated Quantum-Well |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 丸山 武男 / Takeo MARUYAMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター:JST-CREST Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology:JST-CREST |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | ハク アニスル / Anisul HAQUE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター:JST-CREST Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology:JST-CREST |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 荒井 滋久 / Shigehisa ARAI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター:JST-CREST Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology:JST-CREST |
| 発表年月日 | 2003/6/27 |
| 資料番号 | OPE2003-32,LQE2003-26 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 171 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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