講演名 2004/6/25
タングステン酸系低熱膨張材料の開発(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
表 篤志, 鈴木 友子, 鈴木 正明,
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抄録(和) 近年、ZrW_2O_8に代表される負の熱膨張材料に関する研究が種々報告されている。我々は、低熱膨張材料の開発を目的として、負の熱膨張材料HfW_2O_8と正の熱膨張材料MgWO_4の混合焼結体を作製した。混合焼結体において、熱膨張係数の制御が可能であることと、新規な化合物HfMg(WO_4)_3が形成されていることを報告してきた。さらに、単相のHfMg(WO_4)_3を化学量論比で合成し、X線回折により結晶系の確認を行った後、熱機械分析(TMA)により熱膨張係数の測定を行った。これらの結果からHfMg(WO_4)_3が負の熱膨張係数を持つ材料であることを明らかにした。
抄録(英) We have recently reported that it was possible to control the coefficient of thermal expansion (CTE) in HfW_2O_8-MgWO_4 co-sintered ceramic system and that a newly tungstate, HfMg(WO_4)_3, were synthesized in this system. Furthermore, a single-phase tungstate, HfMg(WO_4)_3 were synthesized and the thermal expansion in HfMg(WO_4)_3 was measured using thermal mechanical analysis. From these data, we determined a newly tungstate, HfMg(WO_4)_3 had a negative CTE.
キーワード(和) 熱膨張 / タングステン酸 / セラミック
キーワード(英) thermal expansion / tungstate / ceramic
資料番号 EMD2004-26,CPM2004-35,OME2004-37
発行日

研究会情報
研究会 EMD
開催期間 2004/6/25(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electromechanical Devices (EMD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) タングステン酸系低熱膨張材料の開発(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Low thermal expansion tungstate
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 熱膨張 / thermal expansion
キーワード(2)(和/英) タングステン酸 / tungstate
キーワード(3)(和/英) セラミック / ceramic
第 1 著者 氏名(和/英) 表 篤志 / Atsushi OMOTE
第 1 著者 所属(和/英) 松下電器産業株式会社 先端技術研究所
Advanced Technology Research Laboratories, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd
第 2 著者 氏名(和/英) 鈴木 友子 / Tomoko SUZUKI
第 2 著者 所属(和/英) 松下電器産業株式会社 先端技術研究所
Advanced Technology Research Laboratories, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd
第 3 著者 氏名(和/英) 鈴木 正明 / Masa-aki SUZUKI
第 3 著者 所属(和/英) 松下電器産業株式会社 先端技術研究所
Advanced Technology Research Laboratories, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd
発表年月日 2004/6/25
資料番号 EMD2004-26,CPM2004-35,OME2004-37
巻番号(vol) vol.104
号番号(no) 158
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日