| 講演名 | 2002/12/13 リレー搭載コンタクトにおける連続開閉時のアーク継続時間と接触抵抗との関連について 孫 震山, 吉田 清, 高橋 篤夫, |
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| 抄録(和) | Ag、AgCu10%とAgSnO_212%コンタクトに対して、毎回開閉ごとのアーク継続時間と接触抵抗Rcとの関係について実験を行った。抵抗負荷のもとで電源電圧E=48Vとし、閉成時電流Ioはガス相移行率Gが0～100%に変化する電流範囲(0.4～4.0A)に設定した。その結果、ガス相移行境界(G=50%)のIoは、AgSnO_2の方がAgCuとAgより小さかった。Agではガス相へ移行するIoが予備実験と連続開閉実験の場合で大きく異なった。さらに、AgCuとAgSnO_2ではガス相移行境界付近でRcが高くてぱらつきが大きかった。 |
| 抄録(英) | The arc duration and the contact resistance at every contact operation were measured in Ag and AgCu10% and AgSnO_212% contacts. Measurements were carried Out under the source voltage 48V (constant) and resistive load. The closed contact currents were varied form 0.4 to 4A. As a result, transition boundary closed current of AgSnO_2 was smallest than that of Ag and AgCu. In Ag, Io that transits to the gaseous phase was greatly different in the case of preliminary experiment and large number of continuous switching. Furthermore, the contact resistance of AgCu and AgSnO_2 greatly changed near the transition boundary from the metallic to the gaseous phase arc. |
| キーワード(和) | 電気接点 / アーク放電 / 接触抵抗 / リレー / ガス相アーク / メタリック相アーク / 銀 |
| キーワード(英) | Electrical contacts / Arc discharge / Contact resistance / Relay / Metallic phase arc / Gaseous phase arc / silver |
| 資料番号 | EMD2002-88 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMD |
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| 開催期間 | 2002/12/13(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electromechanical Devices (EMD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | リレー搭載コンタクトにおける連続開閉時のアーク継続時間と接触抵抗との関連について |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Relationships between arc duration and contact resistance in contacts mounted on relays |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電気接点 / Electrical contacts |
| キーワード(2)（和/英） | アーク放電 / Arc discharge |
| キーワード(3)（和/英） | 接触抵抗 / Contact resistance |
| キーワード(4)（和/英） | リレー / Relay |
| キーワード(5)（和/英） | ガス相アーク / Metallic phase arc |
| キーワード(6)（和/英） | メタリック相アーク / Gaseous phase arc |
| キーワード(7)（和/英） | 銀 / silver |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 孫 震山 / Zhenshan SUN |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本工業大学工学部電気電子工学科 Faculty of Engineering, Nippon Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 吉田 清 / Kiyoshi YOSHIDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本工業大学工学部電気電子工学科 Faculty of Engineering, Nippon Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 高橋 篤夫 / Atsuo TAKAHASHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本工業大学工学部電気電子工学科 Faculty of Engineering, Nippon Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2002/12/13 |
| 資料番号 | EMD2002-88 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 539 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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