講演名 2004/3/19
疑似フローティングゲート技術を用いたマルチスクロール回路の改良
藤原 徹哉, 堀尾 喜彦,
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抄録(和) 我々は標準的なCMOS半導体プロセスで実装可能なフローティングゲート(FG)MOSFETを用いたマルチスクロール回路を提案した.この回路は,1つもしくは,いくつかの並列接続したN字型非線形抵抗回路,高Q能動インダクタ回路,2つのキャパシタ,そしてMOSFET抵抗で構成されている.この回路では非線形抵抗回路にFGを用いているため,製造工程等で蓄積される電荷によって引き起こされるMOSFETの閾値電圧の変化が問題となる.また,提案回路の構成は簡潔であるが,能動インダクタ回路に大きなキャパシタンス値が必要になってしまう.これらの問題点を改善するため,本論文では非線形抵抗回路に擬似フローティングゲート(QFG)技術を適用する.これによりFGの蓄積電荷によって引き起こされる問題が解決できる.さらに,能動インダクタ回路を改良し,小さな容量値でも以前の回路と同様のインダクタンスを実現できる構成とする.これにより,必要なキャパシタンスを10分の1程度に抑えることができる.結果として,提案回路の小型化が実現できる.
抄録(英) We proposed a CMOS multi-scroll integrated circuit consisting of one or more floating-gate (FG) N-type nonlinear conductance circuits, a high-Q active inductor circuit, two capacitors, and a MOSFET resistor. Although the proposed circuit is simple and versatile, the circuit has two disadvantages. 0ne is a large capacitance to obtain a reasonable inductance value from the active inductor circuit. Another is that the floating-gate in the nonlinear conductance circuit entraps charge during fabrication, which shifts threshold voltage of the MOSFET. In this paper, we improve the multi-scroll circuit. In order to achieve the improvement, we apply the quasi-floating-gate (QFG) technique to the nonlinear conductance circuit. As a result, we can avoid the problem introduced by entrapped charge in the floating-gate MOSFETs. Moreover, we modified the active inductor circuit. Consequently, the capacitance value in the improve active inductance circuit is one tenth as large as that in the former circuit to obtain the same inductance. Therefore, we can realize a more compact multi-scroll circuit than the former circuit.
キーワード(和) マルチスクロール回路 / カオスIC / 疑似フローティングゲート技術
キーワード(英) Multi-Scroll Circuit / Choas IC / Quasi-Floating-Gate Technique
資料番号 NLP2003-183
発行日

研究会情報
研究会 NLP
開催期間 2004/3/19(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Nonlinear Problems (NLP)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 疑似フローティングゲート技術を用いたマルチスクロール回路の改良
サブタイトル(和)
タイトル(英) An Improved Multi-Scroll Circuit with Quasi-Floating-Gate Technique
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) マルチスクロール回路 / Multi-Scroll Circuit
キーワード(2)(和/英) カオスIC / Choas IC
キーワード(3)(和/英) 疑似フローティングゲート技術 / Quasi-Floating-Gate Technique
第 1 著者 氏名(和/英) 藤原 徹哉 / Tetsuya FUJIWARA
第 1 著者 所属(和/英) 東京電機大学大学院工学研究科電子工学専攻
Graduate School of Engineering, Tokyo Denki University
第 2 著者 氏名(和/英) 堀尾 喜彦 / Yoshihiko HORIO
第 2 著者 所属(和/英) 東京電機大学大学院工学研究科電子工学専攻
Graduate School of Engineering, Tokyo Denki University
発表年月日 2004/3/19
資料番号 NLP2003-183
巻番号(vol) vol.103
号番号(no) 741
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日