| 講演名 | 2003/1/20 発光中心不純物を添加したGaN粉体の二段階気相合成 原 和彦, 奥山 絵里, 米村 淳, |
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| 抄録(和) | 二段階気相法の粒子成長過程において、不純物原料としてTb、Tm、ZnSを用い、これらをGaClと同時に供給することによりGaN粉体へのTb、Tm、およびZnのドーピングを達成した。不純物濃度は、それぞれ6×10^<19>、4×10^<20>、1.5×10^<20>cm^<-3>であった。これらの試料のうち、GaN:TbはTb^<3+>イオンの内殻偏移によるフォトルミネッセンス(PL)を示した。GaN:Znについては、NH_3雰囲気中、1000℃でアニールを行うことにより、Znを発光中心とする青色のPLを示した。 |
| 抄録(英) | Aiming at application of GaN powders for phosphors, GaN crystalline powders doped with luminescent impurities have been synthesized by the two-stage vapor phase method. The source of impurity was placed at the same position in the reactor for the stage of particle growth, and supplied with GaCl to the reaction zone. With Tb, Tm and ZnS as sources, this method successfully produced GaN:Tb, GaN:Tm and GaN:Zn powders with impurity concentrations of 6 × 10^<19>, 4 × 10^<20> and 1.5 × 10^<20> cm^<-3>, respectively. The GaN:Tb powder showed the photoluminescence (PL) emission bands due to the transitions of f-electrons in Tb^<3+> ions. It was found that the annealing at 1000 ℃ in the atmosphere of NH_3 activates the Zn centers in the GaN:Zn powder, resulting in the emission of blue PL. |
| キーワード(和) | GaN / 粉体 / 気相合成 / 蛍光体 / フォトルミネッセンス / GaN:Zn / GaN:Tb / GaN:Tm |
| キーワード(英) | GaN / powder / vapor phase synthesis / phosphor / photoluminescence / GaN:Zn / GaN:Tb / GaN:Tm |
| 資料番号 | EID20002-104 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 2003/1/20(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 発光中心不純物を添加したGaN粉体の二段階気相合成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Synthesis of GaN Powders doped with Luminescent Impurities by Two-Stage Vapor Phase Method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 粉体 / powder |
| キーワード(3)（和/英） | 気相合成 / vapor phase synthesis |
| キーワード(4)（和/英） | 蛍光体 / phosphor |
| キーワード(5)（和/英） | フォトルミネッセンス / photoluminescence |
| キーワード(6)（和/英） | GaN:Zn / GaN:Zn |
| キーワード(7)（和/英） | GaN:Tb / GaN:Tb |
| キーワード(8)（和/英） | GaN:Tm / GaN:Tm |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 原 和彦 / Kazuhiko HARA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 像情報工学研究施設 Imaging Science and Engineering Laboratory,Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 奥山 絵里 / Eri OKUYAMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 像情報工学研究施設 Imaging Science and Engineering Laboratory,Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 米村 淳 / Atsushi YONEMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 像情報工学研究施設 Imaging Science and Engineering Laboratory,Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2003/1/20 |
| 資料番号 | EID20002-104 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 600 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |