| 講演名 | 2003/1/20 リモートプラズマ励起MOCVDによるZnTe系薄膜の成長と伝導性制御 松井 宏樹, 青木 徹, 天明 二郎, 畑中 義式, |
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| 抄録(和) | 緑色発光デバイスを目指してn型のZnTe系単結晶薄膜を悦こととバンド制御を目的としてリモートプラズマ励起MOCVDによりZnTe及びZnSe_xTe_<1-x>薄膜を成長した。良好なZnTe薄膜が得られたが、ドーパントとしてVII族減量のn-BtIを用いてn型ZnTe薄膜の作成を試みたが抵抗率の大きな変化は確認することができなかった。一方、II族原料のDEZnを一定にしVI族原料のDESe及びDETeの比を変化させることにより全範囲で任意に組成比xを持つZnSe_xTe_<1-x>薄膜を成長することができた。ZnSe_<0.2>Te_<0.8>薄膜においてヨウ素ドーピングを試みたところ、n型として低抵抗化し、ZnSe_xTe_<1-x>混晶はバンド制御のみでなくn型化においても有効であることがわかった。 |
| 抄録(英) | ZnSe_xTe_<1-x> alloy films were grown by remote plasma enhanced MOCVD for the purpose of obtaining the n-type ZnTe based single crystal and the control of its band-gap energy. The resistivity of ZnTe was not changed although n-butyliodine was introduced as a dopant source in ZnTe films growth. On the other hand, ZnSe_xTe_<1-x> films with the composition ratio x in the range of 0 to 1 have been obtained by changing the ratio of Se and Te source. The resistivity of ZnSe_<0.2>Te_<0.8> film was decreased about lOOΩcm with n-type conductivity by iodine doping. Therefore, ZnSe_xTe_<1-x> films are effective not only band-gap control but also formation of n-type ZnTe based crystal film. |
| キーワード(和) | リモートプラズマ励起MOCVD法 / ZnSeTe / ZnTe / ヨウ素ドーピング |
| キーワード(英) | RPE-MOCVD / ZnSeTe / ZnTe / iodine doping |
| 資料番号 | EID20002-103 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 2003/1/20(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | リモートプラズマ励起MOCVDによるZnTe系薄膜の成長と伝導性制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth and conductivity control of ZnSeTe alloy films by remote hydrogen plasma assisted MOCVD |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | リモートプラズマ励起MOCVD法 / RPE-MOCVD |
| キーワード(2)（和/英） | ZnSeTe / ZnSeTe |
| キーワード(3)（和/英） | ZnTe / ZnTe |
| キーワード(4)（和/英） | ヨウ素ドーピング / iodine doping |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松井 宏樹 / Hiroki Matsui |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics,Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 青木 徹 / Toru Aoki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics,Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 天明 二郎 / Jiro Temmyo |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics,Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 畑中 義式 / Yoshinori Hatanaka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 愛知工科大学工学部 Aichi University of Technology |
| 発表年月日 | 2003/1/20 |
| 資料番号 | EID20002-103 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 600 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |