| 講演名 | 2003/1/20 Si基板上ZnSエピタキシャル薄膜のZnOへの酸化過程 三宅 亜紀, 中村 高遠, 東 直人, 青木 徹, 小南 裕子, 中西 洋一郎, 畑中 義式, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | Si基板上にまずZnSエピタキシャルを作製し、それを酸素中で熱処理することによってZnOエピタキシャル薄膜を作製する。その際に起こっている酸化過程をギブスの自由エネルギーを用いて熱力学的に検討を行った。さらにZnSの粉末を用いてTG-DTA測定を行い、実際の酸化反応の過程と比較して検討を行った。熱力学的な計算とTG-DTA測定から酸化過程の主反応はZnSからZnOへの直接的な一段階反応であり、ZnS+3/20_2→ZnO+SO_2、ZnO+SO_2→ZnO+SO_3、ZnS+1/20_2→ZnO+2/1S_2のいずれかが主反応であることが示された。 |
| 抄録(英) | ZnO epitaxial thin film was obtained on Si substrate by oxidation of ZnS epitaxial thin film deposited on Si substrate. This oxidation process was analyzed by using Gibbs free energy calculation and TG-DTA measurement. TG curve had one step and the weight change showed about 16.4% decrease. DTA curve had one peak. It was shown from calculation result and TG-DTA, ZnS is changed to ZnO by one step. Expected reactions are ZnS+3/20_2→ZnO+SO_2,ZnO+SO_2→ZnO+SO_3,ZnS+1/20_2→ZnO+2/1S_2 |
| キーワード(和) | ZnS / ZnO / 酸化 / ギブスの自由エネルギー / 重量・示唆熱分析 |
| キーワード(英) | ZnS / ZnO / oxidation / Gibbs free energy / TG-DTA |
| 資料番号 | EID20002-100 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
|---|---|
| 開催期間 | 2003/1/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si基板上ZnSエピタキシャル薄膜のZnOへの酸化過程 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Oxidation process to ZnO from ZnS epitaxial film on Si substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ZnS / ZnS |
| キーワード(2)（和/英） | ZnO / ZnO |
| キーワード(3)（和/英） | 酸化 / oxidation |
| キーワード(4)（和/英） | ギブスの自由エネルギー / Gibbs free energy |
| キーワード(5)（和/英） | 重量・示唆熱分析 / TG-DTA |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 三宅 亜紀 / Aki MIYAKE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子科学研究科 Graduate School of Electronic Science and Technology,Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中村 高遠 / Takato NAKAMURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部 Faculty of engineering,Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 東 直人 / Naoto AZUMA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部 Faculty of engineering,Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 青木 徹 / Toru AOKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics,Shizuoka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 小南 裕子 / Hiroko KOMINAMI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子科学研究科 Graduate School of Electronic Science and Technology,Shizuoka University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 中西 洋一郎 / Yoichiro NAKANISHI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子科学研究科:静岡大学電子工学研究所 Graduate School of Electronic Science and Technology,Shizuoka University:Research Institute of Electronics,Shizuoka University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 畑中 義式 / Yoshinori HATANAKA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 愛知工科大学 Aichi University of Technology |
| 発表年月日 | 2003/1/20 |
| 資料番号 | EID20002-100 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 600 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |