講演名 2003/1/20
Siで作製したコーン型フィールドエミッタを用いたSrGa_2S_4:Eu蛍光体薄膜の発光特性
中島 宏佳, 井和丸 昌, 澤田 和明, 小野 貴史, 小南 裕子, 中西 洋一郎, 畑中 義式,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) 電界放射型ディスプレイ(FED)用蛍光体として期待されている希土類添加SrGa_2S_4蛍光体の薄幕化を多元蒸着法に作製した。作成後、薄膜は結晶性の改善及び発光特性の向上をはかるためにH_2S雰囲気中で熱処理を施した。薄膜を陽極電圧2kV、電流密度60μA/cm^2で電子線励起を行ったところSrGa_2S_4:Euに起因する緑色発光を示した。この薄膜をフィールドエミッタを組み合わせてCL特性を測定したところ、陽極電圧1kV、電流密度8μA/cm^2の励起で、輝度焼く5cd/m^2、発光効率0.2lm/W及び色度点(0.29,0.68)が得られた。ここで、得られた発光効率からフィールドエミッタを使用しても、電子銃を使用した場合と同等の発光特性えることが確認された。
抄録(英) Preparation of SrGa_2S_4:Eu thin films have been carried out by multi source deposition technique,then the structural and luminescent properties of the films were characterized. It was shown in this experiment that the crystallinity, luminance and chromaticity of emission were improved by the annealing in H_2S atmosphere. These thin films excited by electron beam showed green emission due to SrGa_2S_4:Eu under excitation with 2kV and 60μA/cm^2. Next CL characteristics of SrGa_2S_4:Eu thin film combined with Si-type field emitter were investigated. It showed the luminance of 5 cd/m^2 and luminous efficiency of 0.2 lm/W, respectively, under the excitation with 1kV and 8μA/cm^2.
キーワード(和) FEDs / SrGa_2S_4蛍光体 / 薄膜 / CL / フィールドエミッタ
キーワード(英) SrGa_2S_4 phosphor / thin film / CL / field emitter
資料番号 EID20002-91
発行日

研究会情報
研究会 EID
開催期間 2003/1/20(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electronic Information Displays (EID)
本文の言語 JPN
タイトル(和) Siで作製したコーン型フィールドエミッタを用いたSrGa_2S_4:Eu蛍光体薄膜の発光特性
サブタイトル(和)
タイトル(英) Luminescent properties of SrGa_2S_4:Eu thin film carried out by Si-type field emitter..
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) FEDs / SrGa_2S_4 phosphor
キーワード(2)(和/英) SrGa_2S_4蛍光体 / thin film
キーワード(3)(和/英) 薄膜 / CL
キーワード(4)(和/英) CL / field emitter
キーワード(5)(和/英) フィールドエミッタ
第 1 著者 氏名(和/英) 中島 宏佳 / H. Nakajima
第 1 著者 所属(和/英) 静岡大学電子科学研究科
Graduate School of Electronic Science and Technology,Shizuoka Univ.
第 2 著者 氏名(和/英) 井和丸 昌 / M. Iwamaru
第 2 著者 所属(和/英) 静岡大学電子工学研究所
Research Institute of Electronics, Shizuoka Univ.
第 3 著者 氏名(和/英) 澤田 和明 / K. Sawada
第 3 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学工学部
Toyohashi Univ.of Tech.
第 4 著者 氏名(和/英) 小野 貴史 / T. Ono
第 4 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学工学部
Toyohashi Univ.of Tech.
第 5 著者 氏名(和/英) 小南 裕子 / H. Kominami
第 5 著者 所属(和/英) 静岡大学電子科学研究科
Graduate School of Electronic Science and Technology,Shizuoka Univ.
第 6 著者 氏名(和/英) 中西 洋一郎 / Y. Nakanishi
第 6 著者 所属(和/英) 静岡大学電子科学研究科:静岡大学電子工学研究所
Graduate School of Electronic Science and Technology,Shizuoka Univ.:Research Institute of Electronics, Shizuoka Univ.
第 7 著者 氏名(和/英) 畑中 義式 / Y. Hatana
第 7 著者 所属(和/英) 愛知工科大学
Aichi Univ.of Tech.
発表年月日 2003/1/20
資料番号 EID20002-91
巻番号(vol) vol.102
号番号(no) 600
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日