| 講演名 | 2002/11/14 各種成膜法により作製した高輝度Zn(Ga_1-xAl_x)_2O_4 : Mn酸化物薄膜EL素子 山崎 正志, 宮田 俊弘, 南 内嗣, |
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| 抄録(和) | パルスレーザー蒸着(PLD)法及び高周波マグネトロンスパッタリング法により作製したZn(Ga_1-xAl_x)_2O_4:Mn蛍光体薄膜を発光層に用いる薄膜EL素子において高輝度緑色発光を実現した。特に、PLD法により作製したZn(Ga_1-xAl_x)_2O_4:Mn薄膜EL素子は1kHz正弦波交流電圧駆動時において1000cd/m^2以上の高輝度を実現した。 |
| 抄録(英) | High-luminance green emitting thin-film EL devices have been fabricated using Mn-activated Zn(Ga_1-xAl_x)_2O_4:Mn phosphor thin films prepared by pulsed-laser deposition or rf magnetron sputtering. A high luminance above 1000cd/m2 was obtained in a 1kHz-driven TFEL device using a Zn(Ga_1-xAl_x)_2O_4:Mn thin film prepared by pulsed-laser deposition. |
| キーワード(和) | 酸化物蛍光体 / 薄膜EL素子 / エレクトロルミネッセンス / 蛍光体 / 薄膜 / ZnGa_2O_4 / ZnAl_2O_4 / パルスレーザー蒸着 / 高周波マグネトロンスパッタリング |
| キーワード(英) | oxide phosphor / thin-film electroluminescent device / electroluminescence / phosphor / thin film / ZnGa_2O_4 / ZnAl_2O_4 / Pulsed Laser Deposition / rf Magnetron Sputtering |
| 資料番号 | EID2002-61 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 2002/11/14(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 各種成膜法により作製した高輝度Zn(Ga_1-xAl_x)_2O_4 : Mn酸化物薄膜EL素子 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | New High-Luminance TFEL Devices Using Zn(Ga_1-xAl_x)_2O_4 : Mn Phosphor Thin Films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 酸化物蛍光体 / oxide phosphor |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜EL素子 / thin-film electroluminescent device |
| キーワード(3)（和/英） | エレクトロルミネッセンス / electroluminescence |
| キーワード(4)（和/英） | 蛍光体 / phosphor |
| キーワード(5)（和/英） | 薄膜 / thin film |
| キーワード(6)（和/英） | ZnGa_2O_4 / ZnGa_2O_4 |
| キーワード(7)（和/英） | ZnAl_2O_4 / ZnAl_2O_4 |
| キーワード(8)（和/英） | パルスレーザー蒸着 / Pulsed Laser Deposition |
| キーワード(9)（和/英） | 高周波マグネトロンスパッタリング / rf Magnetron Sputtering |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山崎 正志 / Masashi Yamazaki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学O.E.デバイスシステムR&Dセンター O.E. Device System R&D Center, Kanazawa Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 宮田 俊弘 / Toshihiro Miyata |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学O.E.デバイスシステムR&Dセンター O.E. Device System R&D Center, Kanazawa Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 南 内嗣 / Tadatsugu Minami |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学O.E.デバイスシステムR&Dセンター O.E. Device System R&D Center, Kanazawa Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2002/11/14 |
| 資料番号 | EID2002-61 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 466 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |