| 講演名 | 2004/9/9 ホール効果測定による半導体薄膜ガスセンサの研究(化学センサー・一般) 植村 大蔵, 原 和裕, |
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| 抄録(和) | RFスパッタリング法を用いて作製したFe_2O_3系薄膜ガスセンサは、NO_x等の環境汚染ガスや、H_2、i-C_4H_<10>等の可燃性ガスに対して感度を示すが、そのキャリア密度やホール移動度、およびそれらのガス中での変化については、不明な点が多い。そこで、そのホール効果を大気中、NO_xまたは可燃性ガスを含む大気中で測定し、キャリア密度やホール移動度がどのように変化するかを調べ、ガス検出機構について考察したので報告する。 |
| 抄録(英) | Although Fe_2O_3-based thin-film gas sensors show considerable sensitivity to pollutant gases such as NO_x or inflammable gases such as H?2 and i-C_4_<10>. In this study, the Hall effect of the thin-film is measured in an atmosphere containing an inflammable gas or NO_x to clarify the sensing mechanism based on the change of the measured carrier density and Hall mobility in the presence of the gas. |
| キーワード(和) | 薄膜ガスセンサ / ホール効果 / キャリア密度 / ホール移動度 / ガス検出機構 |
| キーワード(英) | thin-film gas sensor / Hall effect / carrier density / Hall mobility / gas sensing mechanism |
| 資料番号 | OME2004-66 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2004/9/9(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ホール効果測定による半導体薄膜ガスセンサの研究(化学センサー・一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on semiconductor thin-film gas sensors by Hall effect measurements |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 薄膜ガスセンサ / thin-film gas sensor |
| キーワード(2)（和/英） | ホール効果 / Hall effect |
| キーワード(3)（和/英） | キャリア密度 / carrier density |
| キーワード(4)（和/英） | ホール移動度 / Hall mobility |
| キーワード(5)（和/英） | ガス検出機構 / gas sensing mechanism |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 植村 大蔵 / Daizo UEMURA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京電機大学工学部 College of Engineering, Tokyo Denki University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 原 和裕 / Kazuhiro HARA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京電機大学工学部 College of Engineering, Tokyo Denki University |
| 発表年月日 | 2004/9/9 |
| 資料番号 | OME2004-66 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 300 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |