| 講演名 | 2003/4/8 金属誘起横方向結晶化におけるSi単結晶細線の成長特性(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術) 牧平 憲治, 浅野 種正, |
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| 抄録(和) | 金属誘起横方向結晶化においてNi供給量を制限し、アニール温度を低温化することによってSi細線の形成を試みた。この方法によってa-Si膜厚が100nmのとき幅が約100nm、長さ10μm以上のSi細線を形成することができた。この細線成長特性はa-Si膜厚が薄い場合には、幅が成長方向に拡がる結晶が連なった形となる。また、成長方向が頻繁に変化し、分岐の多い結晶となる。一方、a-Si膜厚が厚い場合には、結晶は幅が一定の直線上となるが、厚くなるにつれて立体的に交錯すようになる。このSi細線の成長機構を調べるため、MILC成長時における自然核形成密度の距離依存性を評価した。自然核形成密度はガウス分布で近似できることから、核形成密度の増加はNiの拡散によるものであることが示唆される。このa-Si中に拡散したNiがSi細線成長結晶成長に影響を与えると考えられる。 |
| 抄録(英) | Metal induced lateral crystallization with a small amount of Ni has been investigated. By reducing the amount of Ni and annealing temperature, Si nano-wires were grown. Si-wires having 100nm width and 10μm long were prepared using a 100nm-thick a-Si film. In the case where a-Si film is thin, wire width was spread as growth proceeds, and growth direction was frequently changed and branched. On the other hand, Si wire had uniform width and rectilinear growth when a-Si film is thick and Si-wires showed stereoscopic growth. In order to ascertain Ni diffusion in a-Si, the dependence of random nucleation density on distance from MILC growth front was investigated. The density of random nuclei was increased near the growth front of MILC and each density profile was able to be fitted with Gaussian distribution. This result was indicated that Ni diffused into a-Si region was important role of MILC growth mechanism. |
| キーワード(和) | 金属誘起横方向結晶化 / 固相結晶化 / 多結晶シリコン / Si細線 |
| キーワード(英) | metal induced lateral crystallization / solid-phase crystallization / poly-Si / Si nano-wire |
| 資料番号 | ED2003-15,SDM2003-15,OME2003-15 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2003/4/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 金属誘起横方向結晶化におけるSi単結晶細線の成長特性(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth Characteristics of Si-Wire on Metal-Induced Lateral Crystallization |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 金属誘起横方向結晶化 / metal induced lateral crystallization |
| キーワード(2)（和/英） | 固相結晶化 / solid-phase crystallization |
| キーワード(3)（和/英） | 多結晶シリコン / poly-Si |
| キーワード(4)（和/英） | Si細線 / Si nano-wire |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 牧平 憲治 / Kenji Makihira |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 浅野 種正 / Tanemasa Asano |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2003/4/8 |
| 資料番号 | ED2003-15,SDM2003-15,OME2003-15 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 8 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |