| 講演名 | 2003/4/8 [招待論文]Cat-CVD a-Si:H膜のレーザアニール特性とpoly-Si TFTの作製(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術) 増田 淳, 余頃 祐介, 松村 英樹, 宮下 一幸, 下田 達也, |
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| 抄録(和) | 触媒化学気相成長(Cat-CVD)法により作製したアモルファスシリコン(a-Si:H)膜を、エキシマレーザアニール(ELA)による結晶化のためのプリカーサとして用いた場合の結晶性について紹介する。Cat-CVD法で作製したa-Si:H膜では、300℃程度の低温堆積ながらも膜中水素含有量を1 at. %程度にまで低減可能であるため、事前の脱水素処理を施さなくてもELAによる結晶化が可能である。Cat-CVD法で作製後に脱水素処理を施さずに結晶化させた場合には、プラズマ化学気相成長(PECVD)法で作製後に脱水素処理を施したプリカーサを結晶化させた場合と比較して、結晶性の向上が確認された。Cat-CVD法ではプリカーサの高速、大面積堆積が可能なことも、本手法の優位性を主張できる点である。Cat-CVD法で成膜したプリカーサを用いてトップゲート型薄膜トランジスタ(TFT)を作製したところ、低圧化学気相成長(LPCVD)法で成膜したプリカーサを用いて同一工程で作製したTFTと概ね同等の特性を示し、移動度は230 cm^2/Vsに達した。 |
| 抄録(英) | Crystallinity of excimer-laser annealed polycrystalline Si (poly-Si) films using amorphous Si (a-Si:H) precursor films prepared by catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD) is presented. No dehydrogenation process is required for Cat-CVD a-Si:H films because of low H content about 1 at. % even at low-temperature deposition below 300 ℃. It was confirmed that the crystallinity is improved using a-Si:H precursor films prepared by Cat-CVD in comparison with that using a-Si:H precursor films prepared by plasma-enhanced CVD. Cat-CVD also has the advantages of high-rate and large-area deposition of a-Si:H precursor films. Top-gate type thin-film transistors fabricated using Cat-CVD a-Si:H precursor films show the mobility reaching 230 cm^2/Vs being comparable to those using low-pressure CVD ones. |
| キーワード(和) | Cat-CVD法 / 多結晶シリコン薄膜トランジスタ / アモルファスシリコンプリカーサ / エキシマレーザアニール |
| キーワード(英) | Catalytic Chemical Vapor Deposition / Polycrystalline Si Thin-Film Transistors / Amorphous Si Precursor Films / Excimer Laser Annealing |
| 資料番号 | ED2003-12,SDM2003-12,OME2003-12 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2003/4/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | [招待論文]Cat-CVD a-Si:H膜のレーザアニール特性とpoly-Si TFTの作製(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characteristics of Laser Annealing for Amorphous Si Films Prepared by Catalytic Chemical Vapor Deposition and Application to Fabrication of Polycrystalline Si Thin-Film Transistors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cat-CVD法 / Catalytic Chemical Vapor Deposition |
| キーワード(2)（和/英） | 多結晶シリコン薄膜トランジスタ / Polycrystalline Si Thin-Film Transistors |
| キーワード(3)（和/英） | アモルファスシリコンプリカーサ / Amorphous Si Precursor Films |
| キーワード(4)（和/英） | エキシマレーザアニール / Excimer Laser Annealing |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 増田 淳 / Atsushi MASUDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学・材料科学研究科 School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 余頃 祐介 / Yusuke YOGORO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学・材料科学研究科 School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松村 英樹 / Hideki MATSUMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学・材料科学研究科 School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 宮下 一幸 / Kazuyuki MIYASHITA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | セイコーエプソン株式会社・テクノロジープラットフォーム研究所 Technology Platform Research Center, SEIKO EPSON Corp. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 下田 達也 / Tatsuya SHIMODA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | セイコーエプソン株式会社・テクノロジープラットフォーム研究所 Technology Platform Research Center, SEIKO EPSON Corp. |
| 発表年月日 | 2003/4/8 |
| 資料番号 | ED2003-12,SDM2003-12,OME2003-12 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 8 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |