| 講演名 | 2004/1/13 プラズマCVD-スパッタリング共同によるC-Cu-S合成金属膜(有機エレクトロニクス・一般) 水野 将範, 森田 慎三, |
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| 抄録(和) | CH_4、SF_6、Ar混合ガスのプラズマCVDと放電電極上のCu金属のスパッタリングを同時に行うことにより、導電性を持つC-Cu-S合成金属膜を作製することが出来た。過去の実験では原子組成比で17%のCuを混入することに成功した。しかし、これはほぼ絶縁体であった。本実験では、実験のプロセスを見直し、以前よりも多くのCuを混入することができたことを報告する。 |
| 抄録(英) | Conductive C-Cu-S synthetic metal film was successfully formed by co-operation process of plasma chemical vapor deposition (PCVD) using CH_4, SF_6 and Ar mixture gas and sputtering of metal plate on the upper electrode. In the previous works of C-Cu-S film formation, mixed Cu atomic % was increased up to 17 atomic %, but the film was almost insulator. The substrate was placed on the sputtered Cu atom flow line after analysation of plasma process, then the content of Cu atom was increased markedly. |
| キーワード(和) | プラズマCVD / スパッタリング共同プロセス / 合成金属 / CH_4,SF_6,Ar混合ガス / C-Cu-S膜 |
| キーワード(英) | cooperation process of plasma CVD and sputtering / synthetic metal / CH_4, SF_6 and Ar mixture gas / C-Cu-S film |
| 資料番号 | OME2003-115 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2004/1/13(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | プラズマCVD-スパッタリング共同によるC-Cu-S合成金属膜(有機エレクトロニクス・一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | C-Cu-S Synthetic Metal Film by Cooperation Process of Plasma CVD and Sputtering (Organic Material Electronics) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | プラズマCVD / cooperation process of plasma CVD and sputtering |
| キーワード(2)（和/英） | スパッタリング共同プロセス / synthetic metal |
| キーワード(3)（和/英） | 合成金属 / CH_4, SF_6 and Ar mixture gas |
| キーワード(4)（和/英） | CH_4,SF_6,Ar混合ガス / C-Cu-S film |
| キーワード(5)（和/英） | C-Cu-S膜 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 水野 将範 / Masanori MIZUNO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 森田 慎三 / Shinzo MORITA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2004/1/13 |
| 資料番号 | OME2003-115 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 565 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |