| 講演名 | 2003/11/12 TMTSF-TCNQ電荷移動錯体FETの基板温度・電圧印加による特性制御(機能性有機薄膜,一般) 佐久間 広貴, 前田 俊一, 酒井 正俊, 飯塚 正明, 中村 雅一, 工藤 一浩, |
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| 抄録(和) | TMTSF-TCNQ電荷移動錯体を用いて電界効果トランジスタ(FET)を作製し基板温度、蒸着時のゲート電圧印加によるFETの特性制御を行った。蒸着時の基板温度を変化させた場合、25℃ではnチャネル、45℃ではpチャネルのFET特性が得られた。蒸気圧の異なるTMTSFとTCNQの組成比が基板温度により変化したためと考えられる。また、ゲート電圧を印加しながら蒸着することによって、蒸着源仕込み比TMTSF:TCNQ=0.55:0.45の場合にはp,nチャネルの素子を同時に作製できた。これらのことからコンプリメンタリ素子の作製が1回の蒸着で可能となることを示した。 |
| 抄録(英) | We have fabricated field-effect transistors using TMTSF-TCNQ charge transfer complex, and controled the FET characteristics by changing substrate temperature and applying Rate voltage during deposition. The obtained FET characteristics were n-channel type at 25℃, and p-channel at 45℃. It is because the molar ratio in deposited films has been changed by substrate temperature due to the vapor pressure difference of TMTSF and TCNQ. Moreover, we have fabricated p- and n-channel FETs selectively and simultaneously by applying sate voltage with the evaporation source having composition of TMTSF:TCNQ=0.55:0.45. These results indicate that it is possible to fabricate complementary devices by one deposition. |
| キーワード(和) | 電界効果トランジスタ / 電荷移動錯体 / pn制御 / CMOSインバーター |
| キーワード(英) | Field-effect transistor / Charge transfer complex / Control of FET characteristics / CMOS inverter |
| 資料番号 | OME2003-105 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2003/11/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | TMTSF-TCNQ電荷移動錯体FETの基板温度・電圧印加による特性制御(機能性有機薄膜,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Control of FET characteristics by substrate temperature and gate voltage during deposition |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電界効果トランジスタ / Field-effect transistor |
| キーワード(2)（和/英） | 電荷移動錯体 / Charge transfer complex |
| キーワード(3)（和/英） | pn制御 / Control of FET characteristics |
| キーワード(4)（和/英） | CMOSインバーター / CMOS inverter |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐久間 広貴 / Hirotaka SAKUMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 千葉大学工学部電子機械工学科 Department of Electronics and Mechanical Engineering, Chiba University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 前田 俊一 / Shun-ichi MAEDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 千葉大学工学部電子機械工学科 Department of Electronics and Mechanical Engineering, Chiba University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 酒井 正俊 / Masatoshi SAKAI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 千葉大学工学部電子機械工学科 Department of Electronics and Mechanical Engineering, Chiba University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 飯塚 正明 / Masaaki IIZUKA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 千葉大学工学部電子機械工学科 Department of Electronics and Mechanical Engineering, Chiba University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中村 雅一 / Masakazu NAKAMURA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 千葉大学工学部電子機械工学科 Department of Electronics and Mechanical Engineering, Chiba University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 工藤 一浩 / Kazuhiro KUDO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 千葉大学工学部電子機械工学科 Department of Electronics and Mechanical Engineering, Chiba University |
| 発表年月日 | 2003/11/12 |
| 資料番号 | OME2003-105 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 441 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |