| 講演名 | 2003/11/12 酸化タンタルゲート絶縁層を用いた有機FETの作製と電気特性(機能性有機薄膜,一般) 樋口 哲平, 伊東 栄次, 宮入 圭一, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 現在,アモルファスシリコン(a-Si)に匹敵するキャリア移動度をもつ有機半導体材料を用いた有機FETの試作例が発表され,注目を集めている.また,その応用面から考えて,高いオン/オフ比,高速動作,低ゲート電圧駆動であることが求められている.五酸化タンタル(Ta_2O_5)の比誘電率は,一般的なゲート絶縁材料である酸化シリコン(SiO_2)の4と比較して22～25と高く,またRFスパッタ法により低温プロセスによってすることができ,注目さている高誘電率材料の一つである.本稿では有機FETの低ゲート電圧駆動,低温プロセス化を目指し,酸化タンタル高誘電率ゲート絶縁層を用いた有機FETを作製し,その電気特性の評価を行った. |
| 抄録(英) | Recently, organic FETs using an organic semiconductor material which has the carrier mobility as high as amorphous silicon (a-Si) have been demonstrated. Moreover, high ON/OFF ratio, high-speed operation, and low gate voltage drive are regard to the application. Tantalum oxide (Ta_2O_5) has a relative dielectric constant of 22-25, compared ～4 for SiO_2 which is a general gate insulation material. RF sputtering method is attractive in the film preparation at low temperature. And it can be carried out a low-temperature process by the RF sputtered method, and is one of attention. In this study, we have produced organic FETs using the tantalum oxide sate insulator layer prepared by RF sputtering, and investigated their electric properties. |
| キーワード(和) | 酸化タンタル / 有機FET / ゲート絶縁層 / RFスパッタ / ポリチオフェン |
| キーワード(英) | Tantalum Oxide / Organic FET / Gate Insulator Layer / RF sputter / Polythiophene |
| 資料番号 | OME2003-100 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
|---|---|
| 開催期間 | 2003/11/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 酸化タンタルゲート絶縁層を用いた有機FETの作製と電気特性(機能性有機薄膜,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electric Characteristics of Organic Field-Effect Transistor Based On Tantalum Oxide Gate Insulator layer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 酸化タンタル / Tantalum Oxide |
| キーワード(2)（和/英） | 有機FET / Organic FET |
| キーワード(3)（和/英） | ゲート絶縁層 / Gate Insulator Layer |
| キーワード(4)（和/英） | RFスパッタ / RF sputter |
| キーワード(5)（和/英） | ポリチオフェン / Polythiophene |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 樋口 哲平 / Teppei HIGUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 伊東 栄次 / Eiji ITOH |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 宮入 圭一 / Keiichi MIYAIRI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 発表年月日 | 2003/11/12 |
| 資料番号 | OME2003-100 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 441 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |