| 講演名 | 2003/9/12 ケルビン法により測定した導電性高分子 / 金属積層膜の表面電位における温度依存性(有機材料・一般) 本川 善幸, 多田 和也, 小野田 光宣, |
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| 抄録(和) | 本研究では、ケルビン法を用いて導電性高分子/金属界面の電子状態を調べた。導電性高分子であるポリ(3-オクタデシルチフェン)をAl及びITO基板上に製膜し、ケルビン法を用いて表面電位の温度依存性を測定した。Al基板を用いた場合では膜厚によって温度依存性の結果が異なったが、ITO基板の場合では変化が見られなかった。またAl/PAT18では加熱前後で表面電位に大きな違いが見られた。 PAT18自体の電子状態には変化が見られなかったため、高分子の溶融に伴うAlの露出やAl上に形成された酸化膜の影響が起因していると考えられる。 |
| 抄録(英) | The electronic states of the conducting polymer/metal interfaces were investigated by Kelvin probe method. A conducting polymer poly(3-octadecylthiophene) was coated on either Al or ITO substrate, and the dependence of the surface potential on temperature was measured by Kelvin probe method. In the case of Al, the dependence on the temperature is strongly influenced by the sample thickness. However, the samples on ITO do not show such influence on thickness. The surface potential of the sample on Al shows drastic change in the surface potential before and after heating. Because no notable change was observed in electronic state of PAT18 itself, it is speculated that the cause is the exposure of Al accompanying melt of a conducting polymer and the influence of oxide film formed on Al. |
| キーワード(和) | 導電性高分子 / ポリ(3-オクタデシルチオフェン) / ケルビン法 / 表面電位 |
| キーワード(英) | conducting polymers / poly(3-octadecylthiophene) / Kelvin probe method / surface potential |
| 資料番号 | OME2003-74 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2003/9/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ケルビン法により測定した導電性高分子 / 金属積層膜の表面電位における温度依存性(有機材料・一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Temperature dependency of surface potential at conducting polymer/metal multilayer film by Kelvin probe method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 導電性高分子 / conducting polymers |
| キーワード(2)（和/英） | ポリ(3-オクタデシルチオフェン) / poly(3-octadecylthiophene) |
| キーワード(3)（和/英） | ケルビン法 / Kelvin probe method |
| キーワード(4)（和/英） | 表面電位 / surface potential |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 本川 善幸 / Yoshiyuki HONGAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 姫路工業大学大学院工学研究科 Himeji Institute of Technology graduate school engineering |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 多田 和也 / Kazuya TADA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 姫路工業大学大学院工学研究科 Himeji Institute of Technology graduate school engineering |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小野田 光宣 / Mitsuyoshi ONODA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 姫路工業大学大学院工学研究科 Himeji Institute of Technology graduate school engineering |
| 発表年月日 | 2003/9/12 |
| 資料番号 | OME2003-74 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 317 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |