| 講演名 | 2003/9/12 煙突構造による導電性高分子ダイオードへの選択ドーピング(有機材料・一般) 多田 和也, 和田 昌之, 小野田 光宣, |
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| 抄録(和) | 導電性高分子自立膜を用いたダイオードなどの素子は、可塑性を制限する支持基板を持たないため高分子膜自身の可塑性を最大限に活かすことができると考えられる。しかしながら、未ドープ状態の導電性高分子は一般的に導電率が低く、素子の直列抵抗が大きい、という問題点を持つ。一方、ドープ状態の導電性高分子に金属蒸着を施すと、ドーパントによる電極金属の腐食が生じる。本研究では導電性高分子ダイオードに取り付けた煙突状のドーパント溜めを用いて、化学的に安定な電極側のみに選択ドーピングを施し、直列抵抗の低減を試みた。 |
| 抄録(英) | Electronic devices such as diodes using a free-standing films of conducting polymer seem to provide maximum flexibility, because they do not have any supporting substrate which may suffer the flexibility of devices. However, the conductivity of pristine (undoped) conducting polymer is generally low and thus the devices made of them have relatively large series resistance. On the other hand, attempts to make a device by vacuum metallization on doped conducting polymer film will fail in the corrosion of the metal by dopant. In this study, we have tried to reduce the series resistance of a conducting polymer diode by selective doping at the chemically stable electrode side, employing a chimney-shaped dopant reservoir attached on the device. |
| キーワード(和) | 導電性高分子 / ショットキーダイオード / 選択ドーピング / 自立膜 / 煙突構造 |
| キーワード(英) | Conducting polymer / Schottky diode / selective doping / free-standing film / chimney structure |
| 資料番号 | OME2003-73 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2003/9/12(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 煙突構造による導電性高分子ダイオードへの選択ドーピング(有機材料・一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Selective Doping of Conducting Polymer Diodes Utilizing Chimney Structure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 導電性高分子 / Conducting polymer |
| キーワード(2)（和/英） | ショットキーダイオード / Schottky diode |
| キーワード(3)（和/英） | 選択ドーピング / selective doping |
| キーワード(4)（和/英） | 自立膜 / free-standing film |
| キーワード(5)（和/英） | 煙突構造 / chimney structure |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 多田 和也 / Kazuya TADA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 姫路工業大学大学院工学研究科 Division of Electrical Engineering, Himeji Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 和田 昌之 / Masayuki WADA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 姫路工業大学大学院工学研究科 Division of Electrical Engineering, Himeji Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小野田 光宣 / Mitsuyoshi ONODA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 姫路工業大学大学院工学研究科 Division of Electrical Engineering, Himeji Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2003/9/12 |
| 資料番号 | OME2003-73 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 317 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |