| 講演名 | 2003/6/27 MOCVD法によるPb(Zr,Ti)O_3薄膜の低温成長と特性の改善(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般) 岡庭 守, 藤沢 浩訓, 清水 勝, 丹生 博彦, |
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| 抄録(和) | MOCVD法によるPb(Zr,Ti)0_3(PZT)薄膜の低温成長と核付けによる特性の改善を試みた.Pb原料として(C_2H_5)_3PbOCH_2C(CH_3)_3(TEPOL)を用いることによって,成長温度380℃でも強誘電性を有するPZT薄膜が得られた.さらに,TEPOLの使用とPbTi0_3(PTO)核付けを合わせて行うことによって,340℃という低温でもペロブスカイトPZT薄膜が成長し,成長温度370℃でも2Pr=4.2μC/cm^2,2Ec=63kV/cmを有するPZT薄膜が得られた.PTOシードの結晶性がPZT薄膜の特性に及ぼす影響を調べた結果,PZT薄膜の結晶性はPTOシードの結晶性に強く影響されることが分かった. |
| 抄録(英) | Low temperature growth of Pb(Zr,Ti)O_3 (PZT) thin films by MOCVD was performed using PbTiO_3 (PTO) seeds . When (C_2H_5)_3PbOCH_2C(CH_3)_3(TEPOL) was used as a lead-precursor, perovskite PZT thin films were grown at 380℃. Furthermore, PTO seeds were used in combination with TEPOL, perovskite PZT thin films were grown at the temperature as low as 340℃. PZT thin films grown at 370℃ exhibited D-E loops with 2Pr of 4.2 μC/cm^2 and 2Ec of 63kV/cm. It was also found that crystallinity of PZT thin films was strongly influenced by that of PTO seeds. |
| キーワード(和) | 低温成長 / 核付け法 / Pb(Zr,Ti)O_3薄膜 / MOCVD法 |
| キーワード(英) | Low temperature growth / Seeding method / Pb(Zr,Ti)O_3 thin films / MOCVD |
| 資料番号 | OME2003-33 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2003/6/27(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOCVD法によるPb(Zr,Ti)O_3薄膜の低温成長と特性の改善(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low temperature growth of Pb(Zr,Ti)O_3 thin films by MOCVD and improvements in their properties |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 低温成長 / Low temperature growth |
| キーワード(2)（和/英） | 核付け法 / Seeding method |
| キーワード(3)（和/英） | Pb(Zr,Ti)O_3薄膜 / Pb(Zr,Ti)O_3 thin films |
| キーワード(4)（和/英） | MOCVD法 / MOCVD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岡庭 守 / Mamoru Okaniwa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 姫路工業大学大学院工学研究科 Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, Graduate School of Engineering, Himeji Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 藤沢 浩訓 / Hironori Fujisawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 姫路工業大学大学院工学研究科 Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, Graduate School of Engineering, Himeji Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 清水 勝 / Masaru Shimizu |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 姫路工業大学大学院工学研究科 Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, Graduate School of Engineering, Himeji Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 丹生 博彦 / Hirohiko Niu |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 姫路工業大学大学院工学研究科 Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, Graduate School of Engineering, Himeji Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2003/6/27 |
| 資料番号 | OME2003-33 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 170 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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