講演名	2003/2/28 [招待論文]有機薄膜トランジスタの構造とデバイス特性 : プリンタブルトランジスタ実現に向けて(表示記録用有機材料及びデバイス) 吉田 学, 鎌田 俊英,
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抄録(和)	我々は、トランジスタ特性に直接関与するチャネル長Lを比較的容易にスケールダウンできるTop and Bottom Contact電界効果トランジスタ(TBCFET)を考案し、その特徴について研究してきた。本報告では、ペンタセン薄膜を用いた約0.5μmのチャネル長を持つTBCFETを作成し、その特性を評価した。TBCFETで得られる出力ドレイン-ソース電流(I_)は、従来の100μmのチャネル長を持つ横型FET素子と比較して1～2桁大きな値となった。しかしながら、この素子では、ゲートオフ時のI_が大きくオン-オフ比が非常に小さいという問題があった。オフ電流を低減させるためにトップ電極と半導体層間にショットキー障壁を形成させることによりオン-オフ比の改善に成功した。
抄録(英)	We studied the features of the newly developed Top and Bottom Contact Field Effect Transistor (TBCFET) with organic semiconductor layers. Pentacene TBCFETs with ca.0.5μm channel length (L) were fabricated and their transistor properties were measured. The output drain-source currents (I_) of TBCFET were 1 to 2 orders of magnitude higher than those of ordinary planar type FETs with 100μm channel length. On the other hand, because of the TBC structure, off current tends to become larger in the TBCFET. Therefore, in order to solve this off-current problem, we intentionally formed the Schottky junction at the top electrode/semiconductor interface. As a result, the off current became about 2 orders of magnitude smaller than before the formation of the Schottky junction.
キーワード(和)	チャネル長 / ペンタセン / 電界効果トランジスタ(FET) / Top and Bottom Contact(TBC)構造
キーワード(英)	Channel Length / Pentacene / Field Effect Transistor (FET) / Top and Bottom Contact (TBC) structure
資料番号	EID2002-128,OME2002-103
発行日

研究会情報
研究会	OME
開催期間	2003/2/28(から1日開催)
開催地（和）
開催地（英）
テーマ（和）
テーマ（英）
委員長氏名（和）
委員長氏名（英）
副委員長氏名（和）
副委員長氏名（英）
幹事氏名（和）
幹事氏名（英）
幹事補佐氏名（和）
幹事補佐氏名（英）

講演論文情報詳細
申込み研究会	Organic Material Electronics (OME)
本文の言語	JPN
タイトル（和）	[招待論文]有機薄膜トランジスタの構造とデバイス特性 : プリンタブルトランジスタ実現に向けて(表示記録用有機材料及びデバイス)
サブタイトル（和）
タイトル（英）	Device Structures and Properties of Organic Thin Film transistors : Realization of Printable Transistor
サブタイトル（和）
キーワード(1)（和/英）	チャネル長 / Channel Length
キーワード(2)（和/英）	ペンタセン / Pentacene
キーワード(3)（和/英）	電界効果トランジスタ(FET) / Field Effect Transistor (FET)
キーワード(4)（和/英）	Top and Bottom Contact(TBC)構造 / Top and Bottom Contact (TBC) structure
第 1 著者 氏名（和/英）	吉田 学 / Manabu YOSHIDA
第 1 著者 所属（和/英）	産業技術総合研究所光技術研究部門 Photonics Research Institute, National Institute of Advanced Science and Technology (AIST)
第 2 著者 氏名（和/英）	鎌田 俊英 / Toshihide KAMATA
第 2 著者 所属（和/英）	産業技術総合研究所光技術研究部門 Photonics Research Institute, National Institute of Advanced Science and Technology (AIST)
発表年月日	2003/2/28
資料番号	EID2002-128,OME2002-103
巻番号（vol）	vol.102
号番号（no）	699
ページ範囲	pp.-
ページ数	4
発行日