| 講演名 | 2003/1/17 プラズマプロセスによるナノインシュレーションベッドの提案 鈴木 幹典, 森田 慎三, |
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| 抄録(和) | 量子ドット用基板はバリヤフリーな導電領域と絶縁領域を有することが不可欠であるが,ナノインシュレーションベッドはそうした要求を満たす新しい形の電子回路である。このようなナノインシュレーションベッドの作製には50nm以下の超微細加工が必要である。本報告では,このような回路を加工するために必要なナノメータリソグラフィプロセスの問題点を議論する。実験ではプラズマグラフトスチレン膜をスピンコートポリスチレン膜を作製し,微細加工プロセスを解析した。その界面のESCA測定の結果、スピンコート膜の場合、レジストと基板の間には化学的結合がないのに対し、プラズマグラフト重合膜の場合、レジストと基板が化学結合していることがわかった。また、スピンコートレジスト膜は電子線描画によって基板との間に新しく化学結合が生じることがわかった。50nm以下の超微細加工において,レジストと基板の界面の結合はパターン形成に大きな意味を持ち,この結合を用いる新たなパターン製作を可能とする。そしてこれらの技術により実現可能になった微細パターンを用い、ナノインシュレーションベッドの作製を試みる。そして,このベッドを基板にした量子ドットの作製を目指している。 |
| 抄録(英) | In order to realize single electron transistor (SET) working at a room temperature, quantum dot at about 10 nmφ must be arranged with about 1 nm space. Whereas the device should be fabricated at a thickness and/or a step small than 10 nm. Nano-insulation bed technology was proposed to fulfill the above demands for the SET device process, which forms insulating layer, and conducting part on Si wafer in a barrier free condition. We analyzed nano-lithography process with using plasma graft polymerized styrene resist and spin coated polystyrene resist in order to find problems of downsizing of the lithography pattern. The ESCA measurement of the interface between the resist and the substrate revealed the chemical structure. Plasma grafted styrene had a chemical bond to the silicon substrate. But spin coated polystyrene was observed that the film condensed without the chemical bond to the substrate. For the spin coated polystyrene film at a thickness of 1nm, ESCA measurement showed a simple peak of carbon and silicon, but showed new chemical shift after E-beam treatment. These results suggested that utilization of the chemical bond between polystyrene and Si will realize new lithography process, which is considering to use for nano-insulation bed technology. |
| キーワード(和) | ポリスチレン / プラズマグラフト重合スチレン / ESCA / 界面特性 |
| キーワード(英) | polystyrene / plasma graft polymerized styrene / ESCA / chemical bond of interface |
| 資料番号 | OME2002-98 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2003/1/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | プラズマプロセスによるナノインシュレーションベッドの提案 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Nano-insulation Bed with using Plasma Processes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ポリスチレン / polystyrene |
| キーワード(2)（和/英） | プラズマグラフト重合スチレン / plasma graft polymerized styrene |
| キーワード(3)（和/英） | ESCA / ESCA |
| キーワード(4)（和/英） | 界面特性 / chemical bond of interface |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鈴木 幹典 / Mikinori Suzuki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学院工学研究科 Graduate School of Engineering,Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 森田 慎三 / Shinzo Morita |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学院工学研究科 Graduate School of Engineering,Nagoya University |
| 発表年月日 | 2003/1/17 |
| 資料番号 | OME2002-98 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 592 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |