| 講演名 | 2004/9/21 分子動力学/アンサンブルモンテカルロ法による極微細n-i-nダイオードの電流解析(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 鎌倉 良成, 谷口 研二, |
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| 抄録(和) | 極微細n-i-nダイオード中の電子輸送を分子動力学/アンサンブルモンテカルロ法によりシミュレーションし,その電流一電圧特性を解析した.さらに得られた結果をバリスティック伝導モデルに基づくBulashenkoらの理論[Phys. Rev. B61, 5511(2000)]と比較した,シミュレーションによる電流値は理論予測を下回ることを示し,その原因をi層中の空間電荷によって形成されたポテンシャル障壁高さを手がかりに考察する. |
| 抄録(英) | Electron transport in a small n-i-n diode structure is simulated with the ensemble Monte Carlo/molecular dynamics method. The results are compared to the ballistic theory reported by Bulashenko et al. [Phys. Rev. B61, 5511 (2000)]. It is demonstrated that the current density obtained from the simulation is lower than the prediction of the ballistic theory, and the reason of this discrepancy is discussed in terms of the difference of the potential barrier which is formed by the space charges in the i-layer. |
| キーワード(和) | モンテカルロシミュレーション / バリスティック伝導 / 空間電荷制限電流 / 電子間相互作用 / n-i-nダイオード |
| キーワード(英) | Monte Carlo simulation / ballistic transport / space charge limitted current / electron-electron interaction / n-i-n diode |
| 資料番号 | VLD2004-48,SDM2004-172 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 2004/9/21(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 分子動力学/アンサンブルモンテカルロ法による極微細n-i-nダイオードの電流解析(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of Electron Transport in Small n-i-n-Diode Using Molecular Dynamics/Ensemble Monte Carlo Simulator |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | モンテカルロシミュレーション / Monte Carlo simulation |
| キーワード(2)（和/英） | バリスティック伝導 / ballistic transport |
| キーワード(3)（和/英） | 空間電荷制限電流 / space charge limitted current |
| キーワード(4)（和/英） | 電子間相互作用 / electron-electron interaction |
| キーワード(5)（和/英） | n-i-nダイオード / n-i-n diode |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鎌倉 良成 / Yoshinari KAMAKURAI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Department of Electronics and Information Systems, Osaka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 谷口 研二 / Kenji TANIGUCHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Department of Electronics and Information Systems, Osaka University |
| 発表年月日 | 2004/9/21 |
| 資料番号 | VLD2004-48,SDM2004-172 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 322 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |