| 講演名 | 2004/9/21 ナノスケールDG-MOSFETの擬似バリスティック量子輸送特性(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 土屋 英昭, 堀野 元気, 淺沼 昭彦, 三好 旦六, |
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| 抄録(和) | ITRSロードマップが要求するMOSFETの電流駆動力の向上率を達成するためには,ひずみシリコンやゲルマニウム等の新材料の導入に加え,バリスティック輸送効果を利用したキャリア速度の増大が必要になると考えられている.本稿では,量子補正を取り入れたモンテカルロ・デバイスシミュレーションを用いて,擬似バリスティック輸送下でのMOSFETの電流駆動力について検討した結果を報告する.その結果,チャネル長が数10ナノメートル以下にまで縮小された場合,バリスティックキャリアの増加により,電流駆動力が向上することが分かった.しかし擬似バリスティック輸送状態では,チャネル内のキャリアエネルギーが上昇してキャリアは逆に散乱されやすくなるために,電流駆動力の向上率は比較的低く抑えられる結果となっている. |
| 抄録(英) | To realize a continuous progress in drive current of MOSFET as the ITRS roadmap requires, carrier velocity enhancement utilizing ballistic carriers, in addition to the introduction of new channel materials such as strained silicon and germanium, is considered to be necessary. In this paper, we report studies on current drive of MOSFETs in quasi-ballistic transport regime based upon a quantum-corrected Monte Carlo simulation. As a result, we have found that when the channel length becomes smaller than a few ten nanometers, the current drive enhances effectively due to an increase of ballistic carriers . However, since the energy of channel electrons increases rapidly in the quasi-ballistic transport regime, the phonon scattering is intensified and thus the current drive enhancement is limited. |
| キーワード(和) | ナノMOSFET / 量子輸送 / 擬似バリスティック輸送 / 量子補正モンテカルロ |
| キーワード(英) | nano MOSFET / quantum transport / quasi-ballistic transport / quantum-corrected Monte Carlo |
| 資料番号 | VLD2004-47,SDM2004-171 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 2004/9/21(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ナノスケールDG-MOSFETの擬似バリスティック量子輸送特性(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Quasi-Ballistic Quantum Transport of Nano-Scale DG-MOSFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ナノMOSFET / nano MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | 量子輸送 / quantum transport |
| キーワード(3)（和/英） | 擬似バリスティック輸送 / quasi-ballistic transport |
| キーワード(4)（和/英） | 量子補正モンテカルロ / quantum-corrected Monte Carlo |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 土屋 英昭 / Hideaki TSUCHIYA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 神戸大学工学部 Faculty of Engineering, Kobe University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 堀野 元気 / Motoki HORINO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 神戸大学工学部 Faculty of Engineering, Kobe University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 淺沼 昭彦 / Akihiko ASANUMA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 神戸大学工学部 Faculty of Engineering, Kobe University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 三好 旦六 / Tanroku MIYOSHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 神戸大学工学部 Faculty of Engineering, Kobe University |
| 発表年月日 | 2004/9/21 |
| 資料番号 | VLD2004-47,SDM2004-171 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 322 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |