| 講演名 | 2004/9/21 Gamovの方法を用いたMOSFETにおけるゲートトンネル電流の計算(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 岡本 真輝, 竹田 裕, 森 伸也, |
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| 抄録(和) | MOSFETにおけるゲート酸化膜を介したゲートトンネル電流を計算した.ゲートトンネル電流の理論は様々なものが提案されているが,本研究ではPriceにより提案されたGamovの方法[PJ.Price, Appl. Phys. Lett. 82,2080(2003)]に基づく方法を用いてトンネル電流の計算を行った.MOSFET反転層内2次元電子ガスの電子状態のSchrodinger-Poisson自己無撞着計算を行い,その結果を用いてGamovの方法によりトンネル電流の計算を行った.はじめに,メタルゲートのn型MOSFETにGamovの方法を適用し,次にpoly-SiゲートMOSFETの取り扱い方法を検討し,最後に計算結果と実験値との比較を行った. |
| 抄録(英) | We have numerically simulated gate tunneling current in MOSFETs. Recently, Price demonstrated that the Gamov formulation can be applied to analysis of the escape of electrons from the channel region into the gate [P.J. Price, Appl. Phys. Lett. 82, 2080 (2003)]. We have integrated the Gamov method into a Schrodinger-Poisson solver for metal-gate n-type MOSFETs. The method is also applied to poly-Si-gate n-type MOSFETs. The numerical results are then compared with experimental results. |
| キーワード(和) | ゲートトンネル電流 / Gamovの方法 / MOSFET |
| キーワード(英) | Gate tunneling current / Gamov method / MOSFET |
| 資料番号 | VLD2004-44,SDM2004-168 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 2004/9/21(から1日開催) |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Gamovの方法を用いたMOSFETにおけるゲートトンネル電流の計算(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Gamov method applied to gate tunneling current in MOSFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ゲートトンネル電流 / Gate tunneling current |
| キーワード(2)（和/英） | Gamovの方法 / Gamov method |
| キーワード(3)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岡本 真輝 / Masateru OKAMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Osaka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 竹田 裕 / Hirosi TAKEDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Osaka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 森 伸也 / Nobuya MORI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Osaka University |
| 発表年月日 | 2004/9/21 |
| 資料番号 | VLD2004-44,SDM2004-168 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 322 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |