| 講演名 | 2004/9/21 MOSFET反転層移動度のストレス依存性評価(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 岡垣 健, 谷沢 元昭, 内田 哲也, 国清 辰也, 園田 賢一郎, 五十嵐 元繁, 石川 清志, 小谷 教彦, |
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| 抄録(和) | 微細トランジスタに適用可能な新規移動度測定手法を提案し,Shallow Trench Isolation(STI)からのストレスの移動度への影響を直接評価する.抽出したMOSFET反転層のピエゾ抵抗係数は,バルクのピエゾ抵抗係数と近い値であった.また,BSIM4.3.0などに含まれるストレス効果モデルで,この移動度変化を記述できていることが確認できた.さらに,<100>チャネルMOSFETでは<110>チャネルMOSFETに比べて移動度変化は小さい結果となった.NMOSFETに関しての定量的評価が未だ不十分であるが,<100>方向へレイアウトされたCMOSFETは容易な設計と高性能な回路を実現できる可能性を持つと言える. |
| 抄録(英) | We propose a novel mobility measurement method which can be applied to industrial sized MOSFETs. The mobility variation caused by Shallow Trench Isolation(STI) stress is evaluated directly. Extracted piezoresistance coefficients in the inversion layer are close to their counterparts in bulk silicon. The stress effect model like that incorporated into BSIM4.3.0 is verified to adequately predict the behavior. Additionally, we have observed for the first time that the inversion layer mobility in <100> channel MOSFETs is less sensitive to the STI stress than that in <110> channel MOSFETs. Therefore, CMOS devices with layouts along the <100> direction is expected to have high performance with reduced source of design complication. |
| キーワード(和) | 移動度 / ピエゾ抵抗係数 / CBCM法 / 3Dシミュレータ |
| キーワード(英) | mobility / piezoresistance coefficients / CBCM method / 3D Simulator |
| 資料番号 | VLD2004-43,SDM2004-167 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 2004/9/21(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOSFET反転層移動度のストレス依存性評価(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Direct Measurement of Stress Dependent Inversion Layer Mobility Using a Novel Test Structure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 移動度 / mobility |
| キーワード(2)（和/英） | ピエゾ抵抗係数 / piezoresistance coefficients |
| キーワード(3)（和/英） | CBCM法 / CBCM method |
| キーワード(4)（和/英） | 3Dシミュレータ / 3D Simulator |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岡垣 健 / Takeshi OKAGAKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 谷沢 元昭 / Motoaki TANIZAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 内田 哲也 / Tetsuya UCHIDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 国清 辰也 / Tatsuya KUNIKIYO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 園田 賢一郎 / Ken'ichiro SONODA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 五十嵐 元繁 / Motoshige IGARASHI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 石川 清志 / Kiyoshi ISHIKAWA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 小谷 教彦 / Norihiko KOTANI |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 広島国際大学社会環境科学部 Faculty of Infrastructural Technologies, Hiroshima International University |
| 発表年月日 | 2004/9/21 |
| 資料番号 | VLD2004-43,SDM2004-167 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 322 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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