| 講演名 | 2004/9/21 3次元モンテカルロ・シミュレーションによるマルチゲートMOSFETの検討(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 田辺 亮, 山崎 隆浩, 芦澤 芳夫, 岡 秀樹, |
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| 抄録(和) | sub-100nm領域の極微細MOSFETにおいては,従来のDrift-Diffusion輸送モデルで完全に記述するのは難しく,モンテカルロ法による解析が注目されている.最近ではFinFET,TriGate FETなどNon-Planarデバイスが非常に注目されており,これらは従来の2次元シミュレーションでの解析は難しい.そこで,我々は富士通製モンテカルロ・シミュレータFALCONを3次元に拡張し,マルチゲートデバイスの検討を行った.第一原理擬ポテンシャルバンド計算プログラムと結合することにより,歪みSiの計算を行い,さらに,Bohmポテンシャルを用いる量子補正により量子効果の計算も同時に可能にした. |
| 抄録(英) | In sub-100 nm regime ultrasmall MOSFET, it is difficult to describe carrier transport phenomena by conventional drift-diffusion model, and a Monte Carlo method becomes very important. Recently, Non-Planar devices such as FinFET and TriGate FET are often studied, and it is difficult to analyze by usual 2 dimensional calculations. Then we extended Fujitsu Full band Monte Carlo simulator, FALCON to 3 dimensional and analyzed multi gate devices. Strained effect is included by combination with the first principle pseudo-potential band calculation program, and quantum effect is included by Bohm potential method. |
| キーワード(和) | フルバンド / モンテカルロ法 / FALCON / 量子効果 / Bohmポテンシャル / FinFET / TriGate / 歪みSi / 3D |
| キーワード(英) | Full Band / Monte Carlo / FALCON / Quantum Effect / Bohm potential / FinFET / TriGate / strained-Si / 3D |
| 資料番号 | VLD2004-42,SDM2004-166 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 2004/9/21(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 3次元モンテカルロ・シミュレーションによるマルチゲートMOSFETの検討(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of Multi Gate MOSFET by 3D Full Band Monte Carlo Simulation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | フルバンド / Full Band |
| キーワード(2)（和/英） | モンテカルロ法 / Monte Carlo |
| キーワード(3)（和/英） | FALCON / FALCON |
| キーワード(4)（和/英） | 量子効果 / Quantum Effect |
| キーワード(5)（和/英） | Bohmポテンシャル / Bohm potential |
| キーワード(6)（和/英） | FinFET / FinFET |
| キーワード(7)（和/英） | TriGate / TriGate |
| キーワード(8)（和/英） | 歪みSi / strained-Si |
| キーワード(9)（和/英） | 3D / 3D |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田辺 亮 / Ryo Tanabe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山崎 隆浩 / Takahiro Yamasaki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 芦澤 芳夫 / Yoshio Ashizawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岡 秀樹 / Hideki Oka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 発表年月日 | 2004/9/21 |
| 資料番号 | VLD2004-42,SDM2004-166 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 322 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |