講演名 2004/3/4
速度飽和効果に基づくCMOSインバータの解析的な遅延モデル式(システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
堤 崇, 秋濃 俊郎,
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抄録(和) 速度飽和効果を取り入れた線形領域のドレイン電流式を基本にして、その時間積分により、閾値電圧と電圧源を変数とするCMOSインバータの解析的な遅延モデル式の導出に成功した。飽和領域のドレイン電流は、ゲート電圧に依存しない一定の傾きをもたせた。ここでは、線形領域の電流の一次微分が飽和領域のその傾きと等しくなる電圧を、飽和ドレイン電圧とした。0.35μmのCMOSプロセスにおいて、BSIM3v3モデルに基づく回路シミュレーション結果との比較により、そのモデル式の精度を検討した。電圧源が大きな値を持つ領域で、より高精度となることを確認した。
抄録(英) For a CMOS inverter circuit, we succeeded in the derivation of analytical delay model equations with two variables of threshold voltage and power supply voltage by doing integration on time, based on the drain current in the linear region including velocity saturation effect. The drain current in the saturation region has a fixed slope which is independent from the gate voltage. Here, we determine the saturation drain voltage such that the primary differential coefficient of the current in the linear region is equal to the slope of the current in the saturation region. By using BSIM3v3 for 0.35 μm CMOS process, we do circuit simulation and examine the accuracy of our delay model equations. It is showed that our equations are highly more precise in the domain of high power supply voltage.
キーワード(和) 速度飽和効果 / CMOSインバータ / 解析的遅延モデル式
キーワード(英) Velocity saturation / CMOS inverter / Analytical delay model equation
資料番号 VLD2003-136
発行日

研究会情報
研究会 VLD
開催期間 2004/3/4(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 VLSI Design Technologies (VLD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 速度飽和効果に基づくCMOSインバータの解析的な遅延モデル式(システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Analytical Delay Model Equations for CMOS Inverter Based on Velocity Saturation Effect
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 速度飽和効果 / Velocity saturation
キーワード(2)(和/英) CMOSインバータ / CMOS inverter
キーワード(3)(和/英) 解析的遅延モデル式 / Analytical delay model equation
第 1 著者 氏名(和/英) 堤 崇 / Takashi Tsutsumi
第 1 著者 所属(和/英) 近畿大学生物理工学部電子システム情報工学科
Department of Electronic System and Information Engineering, School of Biology-Oriented Science and Technology, Kinki University
第 2 著者 氏名(和/英) 秋濃 俊郎 / Toshiro Akino
第 2 著者 所属(和/英) 近畿大学生物理工学部電子システム情報工学科
Department of Electronic System and Information Engineering, School of Biology-Oriented Science and Technology, Kinki University
発表年月日 2004/3/4
資料番号 VLD2003-136
巻番号(vol) vol.103
号番号(no) 702
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日