| 講演名 | 2003/9/22 フルバンド・モンテカルロ・シミュレータFALCONによる量子力学的効果の解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 田辺 亮, 芦澤 芳夫, 岡 秀樹, |
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| 抄録(和) | sub-100nm領域の極微細MOSFETにおいては,従来のDrift-Diffusion輸送モデルで完全に記述するのは難しく,モンテカルロ法による解析が注目されている.我々は,富士通製2次元フルバンド・モンテカルロ・シミュレータFALCONに量子効果モデルを導入し,量子効果がデバイス特性に与える影響を評価した.また,最近ではFinFET, TriGate FETなどNon-Planarデバイスが非常に注目されており,これらのデバイスでは構造的,量子効果的3次元効果が重要となる.そこで,ISE社3Dデバイス・シミュレータDESSISで,Density Gradient法を用いた3次元的量子効果を含めた解析を行い,2次元モンテカルロ計算との比較から2次元解析での限界について考察した. |
| 抄録(英) | In sub-100 nm regime ultrasmall MOSFET, it is difficult to describe carrier transport phenomena by conventional drift-diffusion model, and a Monte Carlo method becomes very important. We implemented a quantum effect model in Fujitsu 2D Full Band Ensemble Monte Carlo Simulator FALCON and evaluated influence affected by quantum effects. And recently, Non-Planar devices such as FinFET and TriGate FET are often studied. In such devices, structural and quantum 3D effects are very important. Then we simulated 3D structure devices including 3D Density Gradient quantum effect with ISE 3D device simulator DESSIS, and studied the limit of 2D Monte Carlo analysis. |
| キーワード(和) | フルバンド / モンテカルロ法 / FALCON / 量子効果 / FinFET / Density Gradient / Bohm-based / 3D |
| キーワード(英) | Full Band / Monte Carlo / FALCON / Quantum Effect / FinFET / Density Gradient / Bohm-based / 3D |
| 資料番号 | VLD2003-58 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 2003/9/22(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | フルバンド・モンテカルロ・シミュレータFALCONによる量子力学的効果の解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of Quantum Effects by Full Band Monte Carlo Simulator FALCON |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | フルバンド / Full Band |
| キーワード(2)（和/英） | モンテカルロ法 / Monte Carlo |
| キーワード(3)（和/英） | FALCON / FALCON |
| キーワード(4)（和/英） | 量子効果 / Quantum Effect |
| キーワード(5)（和/英） | FinFET / FinFET |
| キーワード(6)（和/英） | Density Gradient / Density Gradient |
| キーワード(7)（和/英） | Bohm-based / Bohm-based |
| キーワード(8)（和/英） | 3D / 3D |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田辺 亮 / Ryo Tanabe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 芦澤 芳夫 / Yoshio Ashizawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岡 秀樹 / Hideki Oka |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 発表年月日 | 2003/9/22 |
| 資料番号 | VLD2003-58 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 337 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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