| 講演名 | 2003/9/22 極薄ゲート酸化膜の擬似絶縁破壊が与える回路動作への影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 森川 周一, 細井 卓治, 鎌倉 良成, 谷口 研二, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 極薄酸化膜における絶縁破壊実験から得られた知見をもとに,ゲートリークを考慮したコンパクトモデルを確立し、絶縁破壊が回路動作や消費電力に対してどのように影響を受けるかをシミュレーションした.絶縁破壊後のMOSFET用回路モデルを組み込んだSPICEシミュレーションをCMOSインバータに対して行った結果,インバータ特性の劣化や消費電力の増大という問題を引き起こすことが判明した. |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | 完全絶縁破壊 / 擬似絶縁破壊 / リーク電流 / 酸化膜信頼性 / 回路シミュレーション |
| キーワード(英) | Hard Breakdown / Soft Breakdown / Leakage Current / Oxide Reliability / Circuit Simulation |
| 資料番号 | VLD2003-57 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
|---|---|
| 開催期間 | 2003/9/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 極薄ゲート酸化膜の擬似絶縁破壊が与える回路動作への影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of Soft Breakdown in Ultra-Thin Gate Oxides on the Circuit Operation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 完全絶縁破壊 / Hard Breakdown |
| キーワード(2)（和/英） | 擬似絶縁破壊 / Soft Breakdown |
| キーワード(3)（和/英） | リーク電流 / Leakage Current |
| キーワード(4)（和/英） | 酸化膜信頼性 / Oxide Reliability |
| キーワード(5)（和/英） | 回路シミュレーション / Circuit Simulation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 森川 周一 / Shuichi MORIKAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Department of Electronics and Information Systems, Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 細井 卓治 / Takuji HOSOI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Department of Electronics and Information Systems, Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 鎌倉 良成 / Yoshinari KAMAKURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Department of Electronics and Information Systems, Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 谷口 研二 / Kenji TANIGUCHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Department of Electronics and Information Systems, Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 発表年月日 | 2003/9/22 |
| 資料番号 | VLD2003-57 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 337 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |