講演名 | 2003/9/22 極薄ゲート絶縁膜への波動関数浸透を考慮したC-Vシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 中森 靖彦, 小宮 健治, 大村 泰久, |
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抄録(和) | 極薄ゲート絶縁膜へ波動関数浸透がC-V特性に与える影響を考察するため、MOS界面近傍のキャリア分布の理論的なモデルを検討した。かなり精度の高い電子濃度分布の解析的な表現を得る事ができた。これを用いて、界面が多数キャリアの蓄積状態にある場合についてC-V特性をシミュレーションし、従来のシリコン酸化膜とhigh-k材料の差異・特徴について考察した。High-k材料の方が、動関数浸透が顕著であるために、MOS界面近傍でのキャリアのクーロン散乱が顕著に現れやすいことが明らかと成った。 |
抄録(英) | We propose an analytical expression of electron distribution function inside silicon and SiO_2 film in the surface-accumulation condition to simulate capacitance of MOS system. We assume three-dimensional electron gas system and discuss the penetration of electron wave function into SiO_2 or high-k materials film. It is demonstrated that penetration of wave functions into the insulator film slightly influences C-V characteristics. It is also demonstrated that the penetration of wave function of high-k materials is deeper than that of SiO_2 film for identical equivalent oxide thickness (EOT). |
キーワード(和) | 極薄絶縁膜 / MOSFET / 波動関数 / 浸透 / C-V特性 / 高誘電率材料 |
キーワード(英) | Ultra-thin oxide films / MOSFET / Wave function penetration / C-V characteristic / high-k materials |
資料番号 | VLD2003-56 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | VLD |
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開催期間 | 2003/9/22(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 極薄ゲート絶縁膜への波動関数浸透を考慮したC-Vシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Physics-Based Analytical Model of Quantum-Mechanical Electron Wave Function Penetration into Thin Dielectric Films for Capacitance Evaluation |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 極薄絶縁膜 / Ultra-thin oxide films |
キーワード(2)(和/英) | MOSFET / MOSFET |
キーワード(3)(和/英) | 波動関数 / Wave function penetration |
キーワード(4)(和/英) | 浸透 / C-V characteristic |
キーワード(5)(和/英) | C-V特性 / high-k materials |
キーワード(6)(和/英) | 高誘電率材料 |
第 1 著者 氏名(和/英) | 中森 靖彦 / Yasuhiko NAKAMORI |
第 1 著者 所属(和/英) | 関西大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Kansai University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 小宮 健治 / Kenji KOMIYA |
第 2 著者 所属(和/英) | 関西大学ハイテクリサーチセンタ High-Technology Research Center, Kansai University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 大村 泰久 / Yasuhisa OMURA |
第 3 著者 所属(和/英) | 関西大学ハイテクリサーチセンタ High-Technology Research Center, Kansai University |
発表年月日 | 2003/9/22 |
資料番号 | VLD2003-56 |
巻番号(vol) | vol.103 |
号番号(no) | 337 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 5 |
発行日 |