| 講演名 | 2003/9/22 MOSFET反転層移動度の面方位およびチャネル方向依存性の解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 江崎 達也, 中村 英達, 山本 豊二, 羽根 正巳, |
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| 抄録(和) | シリコン反転層キャリア移動度の面方位依存性およびチャネル方向依存性を,擬ポテンシャル法を用いて解析した.移動度は,フォノン散乱,界面凸凹散乱およびイオン化不純物散乱を考慮して計算した.移動度の異方性の計算結果は,実験結果とほぼ一致しており,電気伝導の異方性はフルバンド構造を考慮したモデルにより十分説明できることがわかった.一方,解析バンドを用いた計算では,反転層移動度の異方性を十分再現することができなかった.移動度の面方位およびチャネル方位依存性を高い精度で予測するためには,フルバンド構造を考慮した解析が必要であると考えられる. |
| 抄録(英) | We have investigated the effects of surface orientation and channel direction on inversion carrier transport characteristics by adopting an empirical pseudo-potential method incorporating phonon scattering, surface roughness scattering and ionized impurity scattering mechanisms. We found that these effects can be well explained by the real band structures of the quantized carriers, and that this simulation method can accurately reproduce the anisotropy of inversion mobility. Since the calculation based on analytical bands fails to reproduce the anisotropic carrier transport properties, the pseudo-potential method is essential for analyzing the carrier transport characteristics. |
| キーワード(和) | 反転層移動度 / MOSFET / 擬ポテンシャル法 / フォノン散乱 / 界面凸凹散乱 / イオン化不純物散乱 |
| キーワード(英) | Inversion carrier mobility / MOSFET / pseudo-potential method / phonon scattering / surface roughness / scattering / ionized impurity scattering |
| 資料番号 | VLD2003-54 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 2003/9/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOSFET反転層移動度の面方位およびチャネル方向依存性の解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Investigation of Surface Orientation and Channel Direction Effects on MOSFET Inversion Carrier Mobility |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 反転層移動度 / Inversion carrier mobility |
| キーワード(2)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | 擬ポテンシャル法 / pseudo-potential method |
| キーワード(4)（和/英） | フォノン散乱 / phonon scattering |
| キーワード(5)（和/英） | 界面凸凹散乱 / surface roughness |
| キーワード(6)（和/英） | イオン化不純物散乱 / scattering |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 江崎 達也 / Tatsuya EZAKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社シリコンシステム研究所 Silicon Systems Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中村 英達 / Hidetatsu NAKAMURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社シリコンシステム研究所 Silicon Systems Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山本 豊二 / Toyoji YAMAMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社シリコンシステム研究所 Silicon Systems Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 羽根 正巳 / Masami HANE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社シリコンシステム研究所 Silicon Systems Research Laboratories, NEC Corporation |
| 発表年月日 | 2003/9/22 |
| 資料番号 | VLD2003-54 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 337 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |