| 講演名 | 2003/9/22 不純物揺らぎが金属半導体接合の輸送に与える影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 松沢 一也, 木下 敦寛, 楠 直樹, 八木下 淳史, |
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| 抄録(和) | 不純物揺らぎがショツトキー・バリア・ダイオードの電気的特性とコンタクト抵抗に与える影響を、デバイス・シミュレーションを用いて検討した.ショットキー・バリア・ダイオードにおいては、不純物揺らぎの影響が不純物濃度と空乏層幅に依存し、不純物揺らぎによる逆バイアス電流揺らぎが最大となる不純物濃度領域がありうる.コンタクト抵抗においては、局所的に不純物濃度が高い領域での抵抗値が支配的となり、不純物揺らぎによって、コンタクト抵抗が低下する場合がある. |
| 抄録(英) | Influence of impurity fluctuation on electrical characteristics of the Schottky barrier diode and the contact resistance were investigated by using device simulation. In the case of the Schottky barrier diode, the fluctuation of currents under reverse bias depends on the impurity density and the depletion width. It was found that there are some conditions where the fluctuation becomes being maximum. In the case of the contact resistance, the tunneling currents that locally concentrate at the region with high impurity concentration become dominant and the resistance becomes lowered by the impurity fluctuation. |
| キーワード(和) | 不純物 / 揺らぎ / ショットキー / コンタクト抵抗 / シミュレーション |
| キーワード(英) | Impurity / fluctuation / Schottky / Contact / Simulation |
| 資料番号 | VLD2003-53 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 2003/9/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 不純物揺らぎが金属半導体接合の輸送に与える影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Impact of Impurity Fluctuation on Transport between metal and semiconductor |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 不純物 / Impurity |
| キーワード(2)（和/英） | 揺らぎ / fluctuation |
| キーワード(3)（和/英） | ショットキー / Schottky |
| キーワード(4)（和/英） | コンタクト抵抗 / Contact |
| キーワード(5)（和/英） | シミュレーション / Simulation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松沢 一也 / Kazuya Matsuzawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東芝LSI基盤技術ラボラトリー Advanced LSI Technology Laboratory, Toshiba |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 木下 敦寛 / Atsuhiro KINOSHITA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東芝LSI基盤技術ラボラトリー Advanced LSI Technology Laboratory, Toshiba |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 楠 直樹 / Naoki KUSUNOKI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社 Semiconductor Company, Toshiba |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 八木下 淳史 / Atsushi YAGISHITA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社 Semiconductor Company, Toshiba |
| 発表年月日 | 2003/9/22 |
| 資料番号 | VLD2003-53 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 337 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |